Semiconductor 2SD1695

Semiconductor 2SD1695
Артикул: 1664074

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2SD1695

2SD1695 — NPN эпитаксиально-планарный транзистор (Toshiba)

Описание

2SD1695 — кремниевый NPN биполярный транзистор средней мощности, разработанный компанией Toshiba. Предназначен для применения в схемах усилителей НЧ, драйверов, импульсных источников питания и стабилизаторов напряжения. Транзистор выпускается в пластиковом корпусе TO-220 / 2-16E1A (изолированный вывод-подложка SS и мощный коллекторный вывод для отвода тепла).

Часто используется в качестве выходного или драйверного транзистора в телевизионной, аудио- и бытовой технике 1990-2000-х годов. Имеет встроенный диод между коллектором и эмиттером (в некоторых модификациях), устойчив к вторичному пробою.


Технические характеристики (по datasheet Toshiba)

| Параметр | Значение | Условия | |---|---|---| | Тип | NPN | — | | Материал | Кремний | — | | Корпус | TO-220 (2-16E1A) | — | | Напряжение коллектор-эмиттер, VCEO | 60 В | — | | Напряжение коллектор-база, VCBO | 60 В | — | | Напряжение эмиттер-база, VEBO | 5 В | — | | Ток коллектора (постоянный), IC | 3 А | — | | Ток коллектора (импульсный), ICM | 5 А | — | | Рассеиваемая мощность, PC | 25 Вт (при Tc = 25 °C) | с радиатором | | Мощность без радиатора | ~2 Вт | при Ta = 25 °C | | Коэффициент усиления, hFE | 40–250 (обычно 70–140 для группы O, 100–200 для группы Y) | IC = 0.5 А, VCE = 2 В | | Граничная частота, fT | ~50 МГц (мин. 8 МГц) | — | | Ёмкость коллектора, Cob | ~45 пФ (тип.) | VCB = 10 В | | Напряжение насыщения, VCE(sat) | < 0.5 В | IC = 2 А, IB = 0.2 А | | Напряжение насыщения базы, VBE(sat) | < 1.5 В | — | | Рабочая температура перехода, Tj | –55…+150 °C | — | | Температура хранения | –55…+150 °C | — | | Тепловое сопротивление, Rth(j-c) | 5 °C/Вт | — |

Цоколёвка (TO-220): 1 — база (B), 2 — коллектор (C), 3 — эмиттер (E).


Парт-номера (Part Numbers)

  • 2SD1695 (базовая маркировка, без суффикса — отбор по hFE)
  • 2SD1695-O — группа усиления hFE 40–80
  • 2SD1695-Y — группа усиления hFE 70–140
  • 2SD1695-O-Y / 2SD1695-Y-О (диапазоны уточняются по конкретному datasheet)
  • 2SD1695Q (реже встречается у некоторых производителей, аналог)
  • SMD/аналогов нет — только корпус TO-220.

Примечание: 2SD1695 также маркировался как D1695 на корпусе. Некоторые производители (например, не-Toshiba — KEC, Wing Shing, UTC) выпускают клоны под тем же номером. Встречается маркировка 2SD1695 (TS) — Toshiba Semiconductor.


Совместимые / заменяющие модели (аналоги)

Прямые аналоги (близкие параметры → 3 А, 60 В, NPN, TO-220):

  • 2SD1694 (близкий по параметрам, чаще 50 В / 3 А)
  • 2SD1633
  • 2SD1766
  • 2SC2073 (3 А / 80 В)
  • 2SC2837
  • BD241C (3 А / 100 В, другой hFE)
  • BD243C (6 А / 100 В)
  • MJE3055T / 2N3055 (15 А / 60 В — мощнее, но низкочастотный, возможна замена с оговорками)
  • TIP41C (6 А / 100 В)
  • KSD1695 — клон от KEC
  • UTC 2SD1695 — клон от UTC

Совместимое оборудование (типовые применения, где встречается 2SD1695):

  • Импульсные блоки питания телевизоров (Toshiba, Samsung, LG 1990-х)
  • Аудиоусилители НЧ (выходной/driver каскад)
  • Стабилизаторы напряжения и DC-DC преобразователи
  • Схемы управления реле и двигателями малой мощности
  • Мониторы CRT (строчная развёртка / питание)

Важно: перед заменой обязательно сверяйте цоколёвку, hFE-группу и тип корпуса (изолированный/неизолированный фланец). Для цепей с высоким напряжением проверяйте VCEO и наличие встроенного диода.

Если нужен точный datasheet — рекомендую оригинал Toshiba 2SD1695 (PDF), там указаны графики SOA и зависимости hFE от тока.

Совместимые модели для Semiconductor 2SD1695

Semiconductor 2SD1695

Парт номера для Semiconductor 2SD1695

2SD1695