StarPower GD35PIY120C5SN

StarPower GD35PIY120C5SN — это интеллектуальный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип модуля: IGBT + диод
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 35 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 70 А (пиковый)
• Мощность рассеивания (P_tot): до 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (типовое)
• Время включения (t_on): ~35 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура эксплуатации: от -40°C до +150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием (обычно SEMiX или подобный)

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Infineon: FF35R12KE3, FF35R12KT3
• Mitsubishi: CM35DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI35S-120
• SEMIKRON: SKM35GB12T4
• IXYS: MIXA35PF1200

Применение:

• Частотные преобразователи
• Инверторы для солнечных систем
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями

Модуль GD35PIY120C5SN подходит для замены указанных аналогов, но перед установкой рекомендуется уточнять распиновку и параметры управления затвором.