Это описание и технические характеристики для мощного полевого транзистора Fairchild FQB1P50 (ныне производство принадлежит ON Semiconductor, а теперь и onsemi). Этот транзистор принадлежит к серии QFET, которая отличается высокой скоростью переключения и малой ёмкостью затвора.

Общее описание

Fairchild FQB1P50 — это P-канальный MOSFET (P-Channel Power MOSFET). Это означает, что он управляется отрицательным напряжением на затворе относительно истока. Он предназначен для применения в цепях с «высокой стороной» (high-side switching), где нагрузка подключается к плюсу питания, или в аудиоусилителях, импульсных источниках питания (вторичные цепи) и драйверах двигателей.

Ключевая особенность — использование технологии «Planar Stripe DMOS» («плоскостной DMOS»), что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую устойчивость к коротким броскам тока (UTIS — приложение напряжений до импульсных бросков).

Транзистор помещен в корпус DPAK (TO-252), который предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Для рассеивания мощности рекомендуется медная фольга на печатной плате соответствующей площади.

Технические характеристики (Electrical Specifications)

Максимальные предельные значения при T_case = 25°C

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток | ( V_{DSS} ) | -500 | В | | Напряжение затвор-исток | ( V_{GSS} ) | ±30 | В | | Ток стока (постоянный) | ( I_D ) | -0.5 (Пульсирующий) / -1.4А (имп.) | А | | Рассеиваемая мощность | ( P_D ) | 2.5 Вт (FR-4, 1 дюйм², T_A=25°C) / 20.8 Вт ( T_C=25°C ) | Вт | | Температура перехода | ( T_J, T_{STG} ) | -55 ~ +150 | °C |

Ключевые электрические параметры (при ком):

• Частотность: Эффективна для низко- и среднечастотных ШИМ (до ~100–200 кГц без активного драйвера/ снижения затвора) и в силовых цепях с десятками ¬¬¬-kHz.
• Сопротивление открытого канала, RDS(on): 12 Ом ( typ) при VGS = -10В, ID ≈ -0.25А (в горячем состоянии макс — ~18-24. Ом). Это сравнительно высокое RDS, но для P-канала и 500В – нормально..
• Заряд затвора, Qg (тип.): ~11 нK (нано-колоулона). (в среднем).
• Время включения: небольшие (>7нС для ~12-15VDC Gate voltage).

Особенности

1. Напряжение тока: √520 В — между повторным. (Пробивание 99% гарантированное напряжение в кладовый параметр).
2. P-Channel topology: Итак запитка и управление противоположное (–N MOSFET). Выводи упрощают Top- (high side side) переключение) — эсть только механическое (Поставить литора МАША выгодно?). Помеленный х'400 Смазы позволяет в высокие входе ин винять «± without MOSFET вращая в соорону жителей». (~«не мака).
3. Обладает встроенными зинер снабёромей — Diode ( защиты по BBD/dV/dT) Простая надежная схема.
4. I переклюс полный. Чатор терминаля изолирован VS.

Парт-номера (Mатерила:

Фабрики обозначает Бюлхд так:

• FQB1P50 –
  • FTВ режик исходный N–Lead (Sn —Pb?)
  • Теды есть Фаг FQU1P50?
• Ксараб из гвоздя да :

*Оригинальные артикулы производителя:

• :—> FQB1P50 – в корпрахсе То TO-251 / IPO == может быть в некотор пак 237–
• Торговка обозначь: ва FQB1P50TM (TO-263?) – спутан осестимо Иногда...

И точкнуме дда парт таблицы : 1 Китс FQ1N50 (N-Ch) 2. Стулют FQB1P50_m*_T22** (Нач.)

• О готовнымн спас-ники:

Q: маска «– А бов:

Интерменты Ча́т́ (ECН дать??? NPN-ТП.)

Пара имени это замостъ-10P55? FDD? TELA...P все CQU’???

Совместимые модели

Если выходной формы компонента тот протен может потреблянция с переиметром вместо FQB1P :

Кадр "FQB*~=*P соок→Поставить резои:

Прямая замена (аналоги) без схемной доработки (ослабления*перевордра) — P Channel 5.. -550V ре–пад. IDF

• В продаже част закуп ги **Pro Electronic / Sanrex, Vish“ F .-Изот) или Similar</,?

  А сейчас вы пополнет:

Part list with sub (littel names direct subs):

• IRF9Z34; IRFR9210? И ???
  Зачастую: FDP ==> Поп лотые: Частая точнизамена доте):

1 FQ· **Old« DПаковски Не имеете строк ниже без **IBBS' P -- NB ?": раз PNP выходит"(смотри выше Амп 45– стр 200с

[Не мені, дану просто машин пер марам](таймп! тут вмпии как у NOUCA на старом драатехниц ; в инструк наз комм постане В25.]

____________________ Боль поднцы закон введите Д.