Infineon to-220ab

Отличный выбор! TO-220AB — это один из самых популярных и универсальных корпусов для силовых полупроводников, и Infineon является одним из мировых лидеров в их производстве.

Описание корпуса TO-220AB (Infineon)

TO-220AB — это пластиковый корпус для монтажа на радиатор, предназначенный для дискретных силовых полупроводников. Буквы "AB" в исторической номенклатуре обозначают модификацию с пластиковым корпусом и тремя выводами.

Ключевые особенности:

• Конструкция: Прочный пластиковый корпус с металлической задней пластиной (теплоотводящая площадка или "таблетка"), которая электрически соединена с одним из выводов (чаще всего со средним — коллектором или стоком). Это позволяет эффективно отводить тепло через внешний радиатор.
• Монтаж: Предназначен для крепления на радиатор с помощью винта или зажима. Между корпусом и радиатором обязательно используется изолирующая прокладка (если требуется электрическая изоляция) и теплопроводная паста.
• Применение: Идеален для применений, где требуется рассеивание средней и высокой мощности: импульсные источники питания (SMPS), motor drives, аудиоусилители, линейные стабилизаторы, системы управления нагрузкой.
• Надёжность: Высокая стойкость к термическим и механическим нагрузкам.

Технические характеристики корпуса (механические и тепловые)

Эти параметры являются общими для корпуса TO-220AB и не зависят от типа прибора внутри (транзистор, диод, тиристор).

| Параметр | Значение / Описание | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Материал корпуса | Пластик (термореактивная пластмасса) | Обычно черного цвета. | | Количество выводов | 3 (иногда 2, 4 или 5 в специализированных версиях) | Стандарт — 3 вывода. | | Монтажное отверстие | Диаметр ~3.1 мм | Для крепёжного винта. | | Шаг выводов | 2.54 мм (0.1 дюйма) | Стандартный шаг для монтажа в плату. | | Макс. температура пайки выводов | 260 °C в течение 10 сек. | Соответствует стандартам бессвинцовой пайки. | | Темп. хранения (T_stg) | От -55 °C до +150 °C | — | | Темп. перехода (T_j) | Обычно до +150 °C (для большинства кремниевых приборов) | Ключевой параметр! Максимальная температура кристалла. Для IGBT и MOSFET может быть +175°C. | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC) | ~1 К/Вт (типовое) | Зависит от конкретной модели прибора. Чем меньше, тем лучше отвод тепла от кристалла. | | Тепловое сопротивление переход-окруж. среда (R_thJA) | ~62.5 К/Вт (без радиатора) | Показывает, насколько греется кристалл относительно окружающего воздуха. Радиатор обязателен для работы на мощности >1-2 Вт. | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | Зависит от радиатора! Без радиатора ~1-2 Вт. С радиатором — десятки и даже сотни Вт. | Рассчитывается исходя из T_jmax, R_thJC и эффективности радиатора. |

Парт-номера (Part Numbers) Infineon в корпусе TO-220AB

Infineon производит в этом корпусе огромный ассортимент компонентов. Вот примеры по категориям:

1. MOSFET-транзисторы (Наиболее обширная линейка)

• OptiMOS / StrongIRFET: Высокоэффективные MOSFET для ключевых применений.
  • IRFZ44N (классика) — N-Channel, 55V, 49A.
  • IRF4905 — P-Channel, -55V, -74A.
  • IRF1010E — N-Channel, 60V, 84A.
  • IRF540N — N-Channel, 100V, 33A.
  • IRF9540N — P-Channel, -100V, -23A.
  • IPP041N12N3 G (OptiMOS) — N-Channel, 120V, 80A (очень низкое R_DS(on)).

2. IGBT-транзисторы

• IKW серии: Для индукционного нагрева, мотор-контроллеров.
  • IKW15T120 — 1200V, 15A.
  • IKW40N120H3 — 1200V, 40A.

3. Выпрямительные диоды

• IDW серии: Быстрые и ультрабыстрые диоды.
  • IDW10E60 — быстрый диод, 600V, 10A.
• Серия SD (супрессионные диоды): Для защитных цепей.

4. Стабилитроны (TVS-диоды)

• Серия P6KE и другие: Для защиты от перенапряжений.

5. Линейные стабилизаторы напряжения

• Классические 78xx (положительные) и 79xx (отрицательные).
  • L7805CV — +5V, 1.5A.
  • L7812CV — +12V, 1.5A.
  • L7905CV — -5V, 1.5A.

Совместимые модели и прямые аналоги

Совместимость зависит от типа компонента и его электрических параметров.

Общие правила поиска аналога:

1. Тип прибора: MOSFET, IGBT, диод и т.д.
2. Полярность: N-Channel / P-Channel, NPN / PNP.
3. Ключевые электрические параметры:
   • Напряжение: V_DSS (для MOSFET), V_CES (для IGBT), V_RRM (для диода). Выбирать не меньше оригинала.
   • Ток: I_D, I_C, I_F. Выбирать не меньше оригинала.
   • Скорость / Падение напряжения: R_DS(on) (для MOSFET, чем меньше, тем лучше), V_CE(sat) (для IGBT), V_F (для диода).
4. Распиновка (Pinout): Должна совпадать.

Производители, выпускающие полные аналоги в корпусе TO-220AB:

• STMicroelectronics (ST) — самый большой ассортимент аналогов. Часто имеют идентичные парт-номера (например, IRFZ44N выпускает и ST, и Infineon).
• Vishay / Siliconix — особенно сильны в MOSFET.
• ON Semiconductor (Fairchild) — огромный портфель, включая legacy-детали от Fairchild.
• IXYS (часть Littelfuse) — силовые компоненты.
• Diodes Incorporated
• NXP Semiconductors (для некоторых типов).

Примеры кросс-совместимости:

• Infineon IRFZ44N → ST IRFZ44N, Vishay IRFZ44N, ON Semiconductor IRFZ44N. Парт-номера часто полностью идентичны.
• Infineon L7805CV → ST L7805CV, ON Semiconductor MC7805CT, Texas Instruments UA7805C. Функциональные аналоги, параметры идентичны.
• Для более современных и эффективных MOSFET (OptiMOS) прямые аналоги с таким же парт-номером могут быть только у Infineon, но существуют функциональные аналоги с похожими или лучшими параметрами от конкурентов (например, серия STripFET от ST или PowerTrench от ON Semi).

Важно: Всегда проверяйте Datasheet (техническую документацию) как оригинала, так и аналога, особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Electrical Characteristics, перед заменой. Для критичных применений также стоит сравнивать графики характеристик.