Infineon SPP21N50C3

Отличный выбор! SPP21N50C3 — это классический и надежный силовой MOSFET-транзистор от Infineon, который широко использовался в импульсных источниках питания, балластах для освещения и других силовых приложениях.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание

SPP21N50C3 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3). Эта технология обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) при высоком рабочем напряжении, что приводит к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение: Предназначен для работы в цепях с высоким напряжением (до 500 В).
• Низкое сопротивление: Очень низкое Rds(on) для своего класса, что минимизирует нагрев в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения: Быстрая работа, что важно для высокочастотных импульсных преобразователей.
• Технология CoolMOS C3: Оптимизированный баланс между эффективностью, стоимостью и помехоустойчивостью.
• Планарная конструкция: Обеспечивает высокую стабильность и надежность.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошими тепловыми характеристиками.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой техники.
• PFC-корректоры коэффициента мощности.
• Полумостовые и мостовые схемы преобразователей.
• Балласты для газоразрядных ламп (HID) и светодиодные драйверы.
• Инверторы и промышленные системы управления.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | Enhancement mode | | Корпус | TO-220 | | | Сток-исток напряжение (Vds) | 500 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Постоянный ток стока (Id) | 21 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 84 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.16 Ом | Типовое значение при Vgs=10 В, Id=10.5 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В | Важно не превышать! | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 70 нКл | Влияет на требования к драйверу | | Время включения/выключения (tr/tf) | ~ 30 нс / ~ 20 нс | Высокая скорость переключения | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 190 Вт | При Tc=25°C, на практике ограничивается радиатором | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | |

Прямые аналоги и парт-номера (Cross-Reference)

Важно: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы (рабочая частота, режим переключения, драйвер). Перед заменой рекомендуется сверить ключевые параметры (Vds, Id, Rds(on), Qg, корпус).

Прямые аналоги от других производителей (с очень близкими параметрами):

• STMicroelectronics: STP21N50M2, STP20NM50FD
• Fairchild/ON Semiconductor: FCP21N50, FCP20N50
• Vishay/Siliconix: SUP21N50-50, SPP21N50S5-08
• International Rectifier: IRFP450, IRFP450LC (обратить внимание на корпус TO-247)
• NXP (Philips): PHB21N50T

Совместимые/похожие модели из той же линейки Infineon CoolMOS:

• Предыдущее/похожее поколение (C3): SPP20N50C3 (20А), SPP17N50C3 (17А)
• Более новые поколения (для модернизации):
  • CoolMOS C6 (CP): IPA60R199CP (600В, 0.199 Ом, TO-220 FullPAK) — значительно более эффективный, часто используется как современная замена.
  • CoolMOS C7 (CE): IPA60R180C7 (600В, 0.18 Ом) — еще более продвинутая серия.
  • CoolMOS P6 (PFD7): IPP60R199PFD7 (600В, 0.199 Ом, TO-220 FullPAK) — оптимизирован для PFC.
• Аналоги в других корпусах:
  • TO-247: IPP21N50C3 (более высокое энергорассеяние)
  • D²PAK/TO-263: SPP21N50C3-XX (для поверхностного монтажа)

Рекомендации по замене и использованию

1. При замене SPP21N50C3 на аналог от другого производителя обязательно проверьте распиновку (pinout) корпуса TO-220, она стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но лучше убедиться.
2. Ключевые параметры для сравнения: Vds (не менее 500В), Id (не менее 21А), Rds(on) и заряд затвора Qg (влияет на нагрузку драйвера).
3. Современные аналоги (C6, C7, P6) обладают лучшими характеристиками (ниже Rds(on), выше эффективность на высоких частотах) и часто являются предпочтительным выбором для новых разработок или ремонта с целью улучшения параметров.
4. Всегда обеспечивайте качественный теплоотвод. Корпус TO-220 изолирован, но для электрической изоляции от радиатора требуется использовать слюдяную или керамическую прокладку и изолирующую втулку.
5. Соблюдайте меры предосторожности против статического электричества (ESD) при работе с MOSFET.

Данный транзистор зарекомендовал себя как "рабочая лошадка" в силовой электронике, и его параметры делают его удачным выбором для многих стандартных применений.