Infineon SPI20N60C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SPI20N60C3.

Описание

SPI20N60C3 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, прямоходовые, двухтактные преобразователи), где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые особенности, вытекающие из технологии CoolMOS C3:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери проводимости, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким динамическим параметрам (заряды затвора и выходной емкости), что позволяет работать на высоких частотах и снизить потери на переключение.
• Высокая устойчивость к лавинному пробою: Технология гарантирует надежность при работе в условиях выбросов напряжения и коммутационных перенапряжений.
• Превосходное соотношение цена/производительность: Оптимизирован для массовых приложений.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Инверторы и преобразователи для систем освещения (LED драйверы).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Технология | CoolMOS™ C3 | | | Корпус | TO-220 | Изолированный или неизолированный, зависит от модификации (см. парт-номера). | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | Максимальное напряжение отключения. | | Ток стока (Id) | 20 А | При температуре корпуса 25°C. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.19 Ом (макс.) | Ключевой параметр. При Vgs = 10 В, Id = 10 А. | | Заряд затвора (Qg) | ~52 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В. Важно для расчета драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | | | Мощность рассеяния (Ptot) | 156 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Динамические характеристики | Быстрое восстановление внутреннего диода, низкая выходная емкость (Coss) | | | Рабочая температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и варианты корпусов

Обратите внимание, что Infineon выпускает этот транзистор в разных вариантах корпуса и с разной маркировкой. Основные парт-номера:

1. SPI20N60C3 — Базовый парт-номер. Чаще всего поставляется в стандартном корпусе TO-220 (неизолированном).
2. SPI20N60C3-11 — Вариант в корпусе TO-220 FullPAK (или TO-220FP). Этот корпус имеет полностью изолированную пластиковую заднюю часть, что позволяет крепить транзистор к радиатору без изолирующей прокладки, но с использованием термопасты. Это улучшает тепловой контакт.
3. SPP20N60C3 — Аналогичная модель, часто используемая в промышленных каталогах. Фактически, это тот же кристалл.

Важно: При замене всегда проверяйте суффикс и корпус. SPI20N60C3 и SPI20N60C3-11 электрически идентичны, но имеют разные требования к монтажу на радиатор.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать ключевые параметры: Vds=650В, Id=20А, низкое Rds(on), технология для жесткого переключения.

1. Прямые аналоги от Infineon (технология C3 или новее):

• SPW20N60C3 / SPW20N60C3-11 — Аналоги в корпусе TO-247. Имеют лучший теплоотвод из-за большего размера.
• IPA60R190C6 / IPA60R180C7 — Более новые модели из линеек CoolMOS™ C6/C7. Имеют сопоставимые или лучшие параметры (ниже Rds(on), лучше динамика). C7 — прямая рекомендуемая модернизация для новых разработок.
• SPA20N60C3 — Еще один вариант в похожем корпусе от Infineon.

2. Аналоги от других производителей (функциональные замены):

При поиске аналога у других брендов фокус на: 650V, ~20A, Rds(on) ~0.19 Ом, TO-220/TO-247.

• STMicroelectronics:
  • STP20N60M2 (MDmesh™ M2) — Классический и широко распространенный аналог.
  • STW20N60M2 (в корпусе TO-247).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP20N60 / FCP20N60S — Из серии SuperMOS.
  • NCE20TK65 (от NCE Power) — Часто предлагается как аналог.
• Vishay Siliconix:
  • SUD20N60-50 (или аналоги из серии).
• Toshiba:
  • TK20A60U / TK20A60W (из серии DT MOS).
• IXYS (Littelfuse):
  • IXTH20N60C2 / IXFH20N60C3.

Важное замечание по замене:

• Всегда сверяйтесь с даташитами! Даже при схожих ключевых параметрах могут отличаться динамические характеристики (Qg, Ciss, Coss), параметры внутреннего диоса (trr) и предельные импульсные токи.
• Проверяйте распиновку (pinout) корпуса, особенно при переходе между разными производителями.
• Для новых проектов рекомендуется рассматривать более современные аналоги (например, CoolMOS C6/C7, MDmesh M5/M6, Superjunction Gen 5-6), так как они предлагают лучшую эффективность.

Таким образом, SPI20N60C3 — это надежный и эффективный транзистор для силовой электроники средних мощностей, имеющий множество аналогов как внутри семейства Infineon, так и у других ведущих производителей.