Infineon SGB10N60A

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для силового MOSFET транзистора Infineon SGB10N60A.

Описание

Infineon SGB10N60A — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (SJ). Эти транзисторы известны под торговой маркой CoolMOS™ и оптимизированы для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Ключевые преимущества технологии:

• Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): Это минимизирует прямые потери мощности (потери на проводимость) и нагрев кристалла.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что, в свою очередь, уменьшает габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей, конденсаторов).
• Низкий заряд затвора (Qg): Облегчает управление транзистором и снижает потери в драйвере.

SGB10N60A предназначен для работы в жестких условиях импульсных схем, таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• PFC-корректоры коэффициента мощности
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Системы промышленного привода

Корпус TO-263 (D²PAK) обеспечивает хороший отвод тепла через контактную площадку и предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET (Super Junction) | Enhancement Mode | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 600 В | | | Непрерывный ток стока (ID) при 25°C | 10 А | | | Импульсный ток стока (IDM) | 40 А | | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)) | 0,38 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 5 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3,0 - 5,0 В | Станд. 4.0 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGSS) | ± 30 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 28 нКл (тип.) | При VDS = 480 В, ID = 5 А | | Время включения (td(on) + tr) | 22 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 55 нс (тип.) | | | Внутренний диод (Body Diode) | Есть | Интегрированный обратный диод | | Время восстановления диода (trr) | 150 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При Tc = 25°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0,8 °C/Вт | | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | SMD-корпус с теплоотводящей площадкой |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые аналоги

При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (напряжение, ток, сопротивление), но и характеристики переключения, заряд затвора, а также корпус.

Прямые аналоги и аналоги от других производителей:

1. От Infineon (прямые замены и схожие модели в том же семействе):

• SPB10N60S5 - Более современная версия из семейства CoolMOS с улучшенными динамическими характеристиками и еще более низким RDS(on).
• IPA60R280P7S - Модель из семейства CoolMOS P7 (600В, 7.8А, RDS(on)=0.28 Ом). Может рассматриваться как аналог в некоторых схемах.
• SGP10N60A - Аналог в корпусе TO-220 (сквозной монтаж).

2. Аналоги от STMicroelectronics:

• STP10NK60Z / STP10NK60ZFP - N-канальный MOSFET, 600В, 10А, RDS(on)=0.38 Ом (очень близкий аналог).
• STW10NK60Z - Аналог в корпусе TO-247.
• STP8NM60 - 600В, 7.7А, RDS(on)=0.65 Ом (может использоваться, если требуется меньший ток).

3. Аналоги от Fairchild / ON Semiconductor:

• FCP10N60 / FCPF10N60 - SuperFET MOSFET, 600В, 10А, RDS(on)=0.38 Ом (прямой функциональный аналог).
• FQPF10N60C - Аналог в корпусе TO-220F (изолированный).

4. Аналоги от International Rectifier (IR):

• IRFB10N60A - 600В, 10.2А, RDS(on)=0.4 Ом (очень близкий аналог в корпусе TO-220).
• IRFB9N60A - 600В, 9.2А, RDS(on)=0.55 Ом (подходит, если допустим немного меньший ток).

5. Аналоги от Toshiba:

• TK10A60W - 600В, 10А, RDS(on)=0.4 Ом.

Важные замечания по замене:

1. Корпус: Убедитесь, что физический корпус аналога (например, TO-263) подходит для монтажа на вашу печатную плату.
2. Распиновка: Всегда сверяйтесь с datasheet на предмет расположения выводов (Pinout), особенно при замене на аналог в другом корпусе (например, с TO-263 на TO-220).
3. Динамические характеристики: Для высокочастотных применений критически важно сравнивать заряды затвора (Qg), внутренние емкости (Ciss, Coss, Crss) и время переключения. Прямой аналог по статическим параметрам может иметь разные динамические, что может потребовать доработки драйвера.
4. Производитель: Рекомендуется всегда обращаться к официальным даташитам для проверки актуальных характеристик и применения.

Вывод: Infineon SGB10N60A — это надежный и эффективный транзистор для силовой электроники средний мощности. При его замене наиболее прямыми и проверенными аналогами являются STP10NK60Z от STMicroelectronics и FCP10N60 от ON Semiconductor.