Infineon IRG4BC20UPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon IRG4BC20UPBF.

Описание и применение

IRG4BC20UPBF — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) N-типа в корпусе TO-220AB. Он принадлежит к серии IRGB4xxUPBF, которая характеризуется использованием передовой технологии Trench & Field Stop (Non-Punch Through) от Infineon.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология Trench & Field Stop обеспечивает низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)), что приводит к меньшим коммутационным потерям и нагреву.
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Встроенный быстрый обратный диод (Co-Pack Diode) защищает транзистор от выбросов напряжения, возникающих при коммутации индуктивных нагрузок.
• Широкий диапазон рабочих температур: Позволяет использовать в жестких условиях.
• Простота управления: Управляется напряжением на затворе, как MOSFET, что упрощает схему драйвера.
• Прямая замена: Предназначен для прямой замены устаревших BJT-транзисторов и MOSFET-ов в многих приложениях, обеспечивая лучшие характеристики.

Типичные области применения:

• Силовая электроника: Инверторы, импульсные источники питания (SMPS), сварочное оборудование.
• Управление двигателями: Частотные преобразователи для двигателей малой и средней мощности, сервоприводы.
• Бытовая и промышленная техника: Приводы компрессоров, вентиляторов, насосов.

Основные технические характеристики (Тах)

При температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 | В | | Ток коллектора (при 100°C) | I_C @ 100°C | 9.0 | А | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 18 | А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) (тип.) | 1.65 @ I_C=9A | В | | Напряжение на затворе | V_GE | ±20 | В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 4.0 - 6.0 | В | | Общая рассеиваемая мощность | P_tot | 48 | Вт | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 1.25 | °C/Вт | | Время включения / выключения | t_on / t_off | 36 / 135 | нс | | Заряд затвора | Q_g (тип.) | 28 | нКл | | Параметры встроенного диода: | | | | | Прямой ток диода | I_F | 9 | А | | Время восстановления диода | t_rr (тип.) | 120 | нс | | Рабочая температура перехода | T_j | -55 до +150 | °C | | Тип корпуса | — | TO-220AB (изолированный) | — |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии):

• IRG4BC20U — тот же транзистор, но без суффикса "PBF" (означающего "Lead-Free", без свинца). IRG4BC20UPBF является его экологически чистой заменой.
• IRG4BC20U-EPBF — аналог с расширенным диапазоном рабочих температур (до +175°C) для военных и аэрокосмических применений.

2. Функциональные аналоги от других производителей (схожие параметры 600В / ~9А):

При замене обязательно сверяться с даташитом, особенно по распиновке, заряду затвора и характеристикам встроенного диода.

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FGH40N60SMD (600В, 40А, но в схожих схемах) — более мощный, требует проверки.
  • Серия HGTG.
• STMicroelectronics:
  • STGP10NC60HD (600В, 20А) — может быть аналогом по току.
  • STGD6NC60HD (600В, 11А) — близкий аналог.
• IXYS (Littelfuse):
  • IXGH10N60C (600В, 20А).
• Toshiba:
  • GT8Q101 (600В, 10А).

3. Важные замечания по замене:

• Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-220, TO-247, D2PAK и т.д.) и наличие/отсутствие изолирующей прокладки.
• Характеристики диода: Для индуктивных нагрузок критичны параметры обратного диода (t_rr, I_F).
• Заряд затвора (Q_g): Влияет на требования к драйверу. Если Q_g аналога сильно отличается, драйвер может не справиться.
• Распиновка (Pinout): Всегда проверяйте расположение выводов (Gate, Collector, Emitter). У большинства IGBT в TO-220 она стандартная (слева-направо: G-C-E), но бывают исключения.

Рекомендация: Для наиболее корректной замены используйте поиск по параметрам (Parametric Search) на сайтах производителей или в базах данных электронных компонентов (например, Octopart, LCSC, FindChips), задав ключевые параметры: Vces=600V, Ic≈9-12A, TO-220.