Infineon IRFS4127PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFS4127PBF.

Описание

Infineon IRFS4127PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET®. Он принадлежит к серии, оптимизированной для требовательных приложений с низким напряжением управления (логический уровень) и высокой эффективностью.

• Ключевое назначение: Этот транзистор предназначен для сильноточных ключевых приложений, где критически важны низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и высокая энергоэффективность.
• Основные преимущества:
  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала: Всего 1.4 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев.
  • Работа от логического уровня: Полностью открывается уже при напряжении затвор-исток (Vgs) +10В, что позволяет управлять им напрямую от большинства микроконтроллеров и драйверов.
  • Высокая стоковая нагрузка: Способен коммутировать постоянный ток до 240А в импульсном режиме.
  • Быстрое переключение: Благодаря низким зарядам затвора, что важно для ШИМ-приложений с высокой частотой.
• Типовые применения:
  • Системы управления электродвигателями (например, в электромобилях, промышленных приводах).
  • Высокомощные импульсные источники питания (SMPS), особенно в синхронных выпрямителях.
  • Инверторы и преобразователи постоянного тока.
  • Солнечные инверторы.
  • Силовые распределительные системы и контроллеры разряда АКБ.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, HEXFET® | Enhancement mode | | Корпус | TO-220 FullPAK (изолированный) | Пластиковый корпус с изолированной от стока металлической подложкой, что упрощает монтаж на радиатор без изоляционных прокладок. | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 200 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком. | | Постоянный ток стока (Id) | 120 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (Idm) | 480 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.4 мОм (макс.) | При Vgs = +10В, Id = 120А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Типичное 3.0В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 210 нКл (тип.) | При Vgs = 10В, влияет на скорость переключения. | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 460 Вт | При температуре корпуса 25°C (на радиаторе). | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | Параметры: Is = 120А, Vsd = 1.3В (тип.) | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Парт-номера и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько обозначений в зависимости от упаковки и маркировки. IRFS4127PBF — это полный номер для изолированного корпуса TO-220 FullPAK на ленте (Tape & Reel).

• IRFS4127PBF – Основной парт-номер (TO-220 FullPAK, изолированный, на ленте).
• IRFS4127 – Без суффикса "PBF" (означающего "Lead-Free", без свинца) — более старая маркировка.
• IRFS4127TRLPBF – Альтернативное обозначение для упаковки на ленте.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (с проверкой даташитов!):

При поиске аналога критически важно сверять не только основные параметры (Vdss, Id, Rds(on)), но и характеристики переключения, заряды затвора и корпус.

1. International Rectifier (IR, теперь часть Infineon):

   • IRFS4127-7P – Более ранняя версия, практически идентична.
   • Транзисторы из серий IRFB/S4110, IRFB/S4310 могут быть близки по параметрам, но требуют проверки по конкретному напряжению и току.

2. STMicroelectronics:

   • STP200N4F7 – Очень близкий аналог: 200В, 170А, Rds(on) = 1.7 мОм, корпус TO-220. Часто используется как функциональная замена.
   • STW200N4F7 – В корпусе TO-247.

3. Vishay / Siliconix:

   • SUD200N04-07 – 200В, 200А, Rds(on) = 0.7 мОм (лучше), TO-263 (D²PAK). Более современный и эффективный аналог, но в другом корпусе.
   • SQJ200EP – Модель в корпусе TO-247.

4. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FDP200N04 – 200В, 200А, Rds(on) = 2.0 мОм, TO-220.
   • FDB200N04 – В корпусе TO-263.

5. IXYS (Littelfuse):

   • IXFH120N04T2 – 200В, 120А, Rds(on) = 1.4 мОм, TO-247.

Важные замечания по замене и совместимости

1. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-220 FullPAK, TO-220AB, TO-247, D²PAK). FullPAK — изолированный, что влияет на монтаж.
2. Параметры переключения: Для высокочастотных ШИМ-схем критически важны заряды затвора (Qg, Qgd). Прямая замена по току/напряжению может привести к перегреву драйвера или увеличению времени переключения.
3. Радиатор: При токах выше 20-30А обязателен массивный радиатор. Мощность рассеивания в 460 Вт достижима только при идеальном теплоотводе и температуре корпуса 25°C.
4. Драйвер затвора: Из-за значительной емкости затвора (Ciss ~ 6000 пФ) настоятельно рекомендуется использовать специализированный драйвер MOSFET (например, IR2110, IRS2186 и т.п.), а не выход микроконтроллера.

Рекомендация: Перед заменой всегда изучайте datasheet как оригинальной детали, так и предполагаемого аналога, уделяя внимание разделам "Absolute Maximum Ratings" и "Electrical Characteristics", а также графикам зависимостей.