Infineon IRFS3306PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFS3306PBF.

Описание

IRFS3306PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзитор, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Он предназначен для применения в сильноточных импульсных схемах, где критически важны низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая эффективность.

• Основное назначение: Этот транзистор широко используется в силовых блоках питания (например, для серверов, телекоммуникационного оборудования), DC-DC преобразователях, системах управления двигателями (мотор-контроллерах), инверторах и цепях синхронного выпрямения.
• Ключевые преимущества:
  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала: Всего 1.8 мОм (макс. при Vgs=10 В), что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям и технологии Fast Recovery Body Diode.
  • Высокая надежность: Устойчивость к лавинным пробоям и широкий диапазон рабочих температур.
  • Планарная технология: Обеспечивает низкое тепловое сопротивление и хорошую повторяемость параметров.

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-Channel HEXFET Power MOSFET
• Корпус: TO-247AC (сквозное отверстие, 3 вывода)
• Полярность: N-канал (Logic Level - частично, оптимально 10В)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60 В
• Ток стока (Id) при 25°C: 360 А (максимальный импульсный ток до 1440 А)
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
  • Макс. 1.8 мОм при Vgs = 10 В
  • Макс. 2.4 мОм при Vgs = 4.5 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2 - 4 В
• Емкость затвора (Ciss): ~ 8400 пФ (тип.)
• Диод "сток-исток": Встроенный обратный диод (Body Diode)
  • Прямой ток (Is): 360 А
  • Время восстановления (trr): 170 нс (тип.)
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 Вт (при температуре корпуса 25°C)
• Температурный диапазон перехода (Tj): от -55 до +175 °C

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Это уникальный номер производителя (MPN). В других каталогах или при поиске у дистрибьюторов он может фигурировать как:

• IRFS3306PBF (полное название с указанием корпуса "Pb-free")
• IRFS3306 (без указания экологичного исполнения)
• IRFS3306PBF-ND (номер детали у дистрибьютора Digi-Key)

Совместимые и аналогичные модели

При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и расположение выводов (pinout) и тепловые характеристики.

Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

• IRFS3006PBF / IRFS3006-7PPBF: Очень близкий аналог, с таким же Rds(on)=1.8 мОм, но на 75В. Часто используется взаимозаменяемо, если запас по напряжению допустим.
• IRFS3206PBF: 60В, но с чуть более высоким Rds(on) = 2.2 мОм. Более доступный вариант при менее критичных потерях.
• IRFS3710PBF: 100В, 360А, Rds(on)=3.7 мОм. Аналог для схем с более высоким напряжением.
• IPP039N06N G: Более современный транзистор из линейки OptiMOS, имеет лучшее соотношение Rds(on) * заряд затвора (Qg), что повышает эффективность на высоких частотах. (Например, IPP039N06N G: 60В, 300А, Rds(on)=3.9 мОм, но с гораздо лучшими динамическими характеристиками).

Аналоги от других производителей (требуется проверка даташита и pinout):

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FDP038N06B / FDP038N06A: 60В, 360А, Rds(on)=3.8 мОм.
  • FDP047N06B: 60В, 360А, Rds(on)=4.7 мОм.
• STMicroelectronics:
  • STP360N6F7: 60В, 360А, Rds(on)=3.6 мОм.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP50085E: 60В, 300А, Rds(on)=0.85 мОм (более продвинутый, но дорогой).
• IXYS:
  • IXFN360N06T: 60В, 360А, Rds(on)=3.6 мОм.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet)! Особенно разделы с Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Typical Performance Characteristics.
2. Pinout (распиновка): Хотя для TO-247 она часто стандартна (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), у некоторых аналогов возможны исключения.
3. Паразитные емкости (Ciss, Coss, Crss) и заряд затвора (Qg) могут значительно отличаться. Это критично для высокочастотных схем и может потребовать корректировки драйвера затвора.
4. Характеристики встроенного диода (Body Diode): Время обратного восстановления (trr) и прямой ток (Is) влияют на работу в схемах с индуктивной нагрузкой или синхронного выпрямления.

Вывод: IRFS3306PBF — это проверенный временем, мощный и надежный MOSFET для применений, где требуется управление большими токами с минимальными потерями. При его замене аналогом IRFS3006PBF или современными транзисторами типа OptiMOS от Infineon вы, скорее всего, получите схожую или даже лучшую функциональность, но всегда необходим инженерный анализ конкретной схемы.