Infineon IPP80N08S2L07

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon IPP80N08S2L-07, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IPP80N08S2L-07 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 7. Данная серия разработана для обеспечения исключительно низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективности переключения, что делает его идеальным решением для современных высокоэффективных и компактных источников питания и преобразователей.

Ключевые преимущества и особенности:

• Высокая эффективность: Низкое значение RDS(on) минимизирует проводимостные потери.
• Отличные динамические характеристики: Быстрое переключение снижает коммутационные потери, что критично для высокочастотных преобразователей.
• Низкое энергопотребление: Позволяет создавать более энергоэффективные устройства.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным нагрузкам (Avalanche Rugged).
• Оптимизирован для синхронного выпрямления: Широко используется вторичной стороне импульсных источников питания (SMPS), особенно в схемах синхронного выпрямителя.
• Логический уровень управления: Позволяет управлять напряжением затвора от стандартных 5В/3.3В контроллеров, что упрощает схему управления.

Основные области применения:

• Синхронное выпрямление в AC/DC и DC/DC преобразователях.
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS).
• Источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования и игровых консолей.
• Системы управления питанием (Power Management).
• Низковольтные приводы двигателей.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | OptiMOS 7 технология | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 80 В | | | Максимальный непрерывный ток (ID) | 80 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток (IDpulse) | 320 А | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 1.7 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 40 А | | | 2.1 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 40 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.1 - 4.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 75 нКл | VGS = 10 В, ID = 40 А | | Время включения (td(on) / tr) | 13 нс / 12 нс | | | Время выключения (td(off) / tf) | 40 нс / 9 нс | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~ 1.1 мкКл | Очень низкое значение, важно для выпрямления | | Корпус | TO-220 | Полноразмерный корпус | | Степень защиты | IPP80N08S2L-07 | Неизолированный корпус (с отверстием для крепления) |

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

Производитель обычно указывает полное название, но на корпусе транзистора маркировка может быть сокращена.

• Полное название производителя: IPP80N08S2L-07
• Корпус TO-220 (полный): IPP80N08S2L-07ATMA1 (возможны другие суффиксы, обозначающие упаковку, например, -ATMA3 для бухты/катушки).

Маркировка на корпусе: Вероятно, будет нанесено сокращение, например: 80N08S2L-07 или аналогичное.

Совместимые модели и аналоги

При поиске аналога (замены) необходимо ориентироваться на ключевые параметры: напряжение VDS (80В), ток ID (80А), низкое RDS(on) (около 1.7 мОм) и корпус TO-220.

Прямые аналоги от Infineon (того же или похожего поколения):

• IPP080N08S2L-07A (в корпусе D²PAK (TO-263)) — SMD-аналог для поверхностного монтажа.
• IPP80N08S2L-07ATMA1 — тот же транзистор, с уточнением по упаковке.

Аналоги от других производителей:

Очень важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами, особенно по распиновке, значениям порогового напряжения и динамическим характеристикам.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FDP80N08 — Классический аналог, но, как правило, с более высоким RDS(on).
  • FDBL8601 — Мощный MOSFET с похожими характеристиками.

• Vishay Siliconix:

  • SUP80N08-10 — Аналог с близкими параметрами.

• STMicroelectronics:

  • STP80N08 — Еще один популярный аналог.

• Texas Instruments:

  • CSD19538Q5 — Мощный MOSFET от TI с подходящими характеристиками.

Как выбрать аналог (краткий гайд):

1. Напряжение VDS: Должно быть не менее 80В (можно больше, например, 100В).
2. Ток ID: Не менее 80А.
3. RDS(on): Стремитесь к значению 1.7 мОм или ниже при VGS=10В. Чем меньше, тем лучше КПД.
4. Корпус: TO-220 (или его SMD-версия D²PAK/TO-263, если позволяет конструкция).
5. Технология: Обратите внимание на поколение (OptiMOS 7, TrenchFET, AlphaFET и т.д.), так как от этого зависят динамические потери.

Заключение: Infineon IPP80N08S2L-07 — это высококачественный и высокоэффективный транзистор для требовательных применений. При его замене аналогом необходимо проводить тщательный сравнительный анализ даташитов.