Infineon IPP60R450E6

Отличный выбор! IPP60R450E6 — это очень популярный и сбалансированный силовой MOSFET транзистор от Infineon, широко используемый в импульсных источниках питания (SMPS). Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание и основные особенности

IPP60R450E6 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (Enhanced Energy Efficiency). Это уже шестое поколение высоковольтных MOSFET от Infineon, оптимизированное для работы в жестких коммутационных режимах с минимальными динамическими потерями.

Ключевые преимущества и применение:

• Основное назначение: Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS) с топологиями PFC (корректор коэффициента мощности), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и обратноходовые преобразователи.
• Оптимизация потерь: Технология E6 обеспечивает выдающийся баланс между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядами переключения (Qg, Qoss), что ведет к высокой общей эффективности, особенно в диапазоне средних и высоких частот (от 50 кГц до 150 кГц и выше).
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к перегрузкам по току и устойчивостью к dv/dt (скорости нарастания напряжения), что критически важно для работы в мостовых схемах и с жесткой коммутацией.
• Корпус: Выполнен в популярном и хорошо отводящем тепло корпусе TO-220 FullPAK (или просто TO-220). FullPAK означает, что задняя металлическая пластина (теплоотвод) изолирована от стока (D), что позволяет крепить транзистор на общий радиатор без изолирующих прокладок (при условии изолированного крепежа).

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Технология | CoolMOS™ E6 | | | Корпус | TO-220 FullPAK | Изолированный теплоотвод | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.450 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 5.7 А | | | 0.550 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 11 А (Tj=150°C) | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 11 А | При Tк=25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 44 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~38 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера. При VGS=10В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±30 В | | | Время включения (ton) / выключения (toff) | ~18 нс / ~43 нс (тип.) | Зависит от схемы драйвера | | Общий заряд выходной емкости (Qoss) | ~72 нКл (тип.) | Низкое значение снижает потери при переключении | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~1.1 мкКл (тип.) | Важно для работ в режиме корректора коэффициента мощности (PFC) | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | На корпусе при Tк=25°C (при наличии идеального радиатора) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разными префиксами. Основные парт-номера для этой модели:

• IPP60R450E6XKSA1 — основной и самый распространенный номер для заказа в корпусе TO-220 FullPAK.
• SPP60R450E6 — вариант в корпусе TO-247, который имеет лучший теплоотвод и рассчитан на бóльшие мощности.
  • Примечание: SPP60R450E6 — это не просто аналог, а та же самая электрическая характеристика в другом корпусе. Выбор между ними зависит от требований к рассеиваемой мощности и конструкции теплоотвода.

Совместимые и конкурирующие модели (прямые аналоги)

При подборе замены важно смотреть не только на напряжение и ток, но и на баланс RDS(on) и Qg, а также на технологию.

Аналоги от Infineon (внутри бренда, другие поколения):

• IPP60R190E6 (190 мОм) — Меньше сопротивление, но выше заряд затвора. Для более мощных каскадов.
• IPP60R600E6 (600 мОм) — Больше сопротивление, но дешевле. Для менее требовательных схем.
• IPP60R099CP (CoolMOS C7, 99 мОм) — Более новое поколение (C7), значительно лучшие параметры, но обычно дороже.
• SPW20N60S5 (SuperJunction, 0.45 Ом) — Старая, но проверенная модель, может быть дешевле.

Прямые аналоги от других производителей (сопоставимые по характеристикам):

При поиске аналогов в других брендах ищите: 600В, ~0.45 Ом, ~11А, TO-220/TO-247, низкий Qg.

• STMicroelectronics:
  • STP11NK60ZFP (0.45 Ом) — MDmesh™ M2, хороший баланс параметров.
  • STW11NK60Z (0.45 Ом, TO-247) — Тот же кристалл в корпусе TO-247.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N60 (0.45 Ом) — SuperFET® II, классический аналог.
  • FCP11N60S (0.45 Ом) — Тот же ряд.
• Vishay:
  • SUP11N60-45 (0.45 Ом) — Технология QFET™.
• Power Integration (для ремонта готовых модулей):
  • Модели не являются прямыми аналогами для пайки на плату, но используются в схожих по мощности блоках.

Вывод

IPP60R450E6 — это высококачественный, надежный и оптимальный по цене/качеству транзистор для построения эффективных блоков питания мощностью примерно до 300-400Вт (в зависимости от топологии и охлаждения). Его популярность обусловлена удачным балансом характеристик, проверенной надежностью и широкой доступностью на рынке.

Важно: При замене всегда проверяйте разводку выводов (pinout) и, по возможности, характеристики в даташите, особенно если это критичный по эффективности узел (например, PFC или LLC-резонансный полумост).