Infineon IPA65R600E6XKSA1

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, а также список парт-номеров и совместимых моделей для силового MOSFET-транзистора Infineon IPA65R600E6XKSA1.

Описание

Infineon IPA65R600E6XKSA1 — это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой супер-сочковой (Super-Junction) технологии CoolMOS™ E6. Этот транзистор предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания (SMPS).

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология CoolMOS™ E6 обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и превосходные характеристики переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение.
• Оптимизация для LLC-резонансных преобразователей: Данная серия специально разработана для использования в резонансных топологиях (таких как LLC), где критически важны низкие потери при переключении (особенно при нулевом напряжении, ZVS) и низкие емкости.
• Высокая надежность: Компонент обладает высокой стойкостью к лавинным нагрузкам (Avalanche Rugged), что повышает надежность работы в苛刻ных условиях.
• Низкие емкости: Технология E6 обеспечивает очень низкие значения выходной (Coss) и обратной (Crss) емкостей, что способствует снижению потерь при переключении и упрощению управления.
• Планарская технология: Компонент не содержит свинца (Pb-free), соответствует директиве RoHS, что делает его экологически безопасным.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного оборудования и ПК.
• Резонансные преобразователи (LLC-полумосты, LLC-полные мосты).
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Инверторы и промышленные приводы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Super-Junction (CoolMOS™ E6) | - | Планарская технология | | Корпус | TO-220 | - | Изолированный вариант (FullPAK) | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 | В | | | Сопротивление в откр. сост. (R_DS(on)) | 0.600 | Ом | max. при V_GS = 10 В, I_D = 4.2 А | | Максимальный ток стока (I_D) | 5.8 | А | при T_C = 25°C | | | 3.8 | А | при T_C = 100°C | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 48 | Вт | при T_C = 25°C | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ± 30 | В | макс. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 4.8 | В | тип. 3.9 В | | Общий заряд затвора (Q_g) | 19 | нКл | тип. при V_DS = 400 В | | Выходная емкость (C_oss) | 36 | пФ | тип. при V_DS = 400 В | | Емкость обратной связи (C_rss) | 2.5 | пФ | тип. при V_DS = 400 В | | Время включения (t_d(on) / t_r) | 9 / 25 | нс | тип. | | Время выключения (t_d(off) / t_f) | 40 / 9 | нс | тип. | | Скорость нарастания напряжения (dv/dt) | ± 50 | кВ/мкс | |

Парт-номера и совместимые модели

Данный транзистор является частью обширного семейства CoolMOS™. Прямые аналоги и совместимые модели подбираются по ключевым параметрам: V_DSS = 650 В, R_DS(on) ≈ 0.6 Ом, корпус TO-220.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

Эти модели являются либо полными аналогами в другом корпусе, либо очень близкими по характеристикам моделями из той же технологической серии (E6).

• IPW65R600E6XKSA1 - Аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший тепловой режим из-за большего размера корпуса.
• IPP65R600E6XKSA1 - Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (неизолированный). Электрически идентичен, но имеет другой оттиск на корпусе.
• SPW65R600E6 - Версия из супер-джанкшенного портфолио Infineon для конкретных применений.

2. Совместимые / Кросс-ссылочные модели от других производителей

Следующие модели от других ведущих производителей имеют схожие ключевые параметры и часто могут использоваться в качестве замены (однако, всегда рекомендуется сверяться с даташитом и проверять все параметры в конкретной схеме).

• STMicroelectronics:
  • STW22N65M6 - Усовершенствованный супер-джанкшен MOSFET серии MDmesh™ M6. V_DSS=650В, R_DS(on)=0.590 Ом.
• ON Semiconductor:
  • FCPF065N65S3 - N-канальный MOSFET из серии SuperFET III. V_DSS=650В, R_DS(on)=0.65 Ом.
• Texas Instruments:
  • CSD19536Q5A - Хотя TI имеет меньше предложений в этом сегменте, их модели с аналогичными V и RDS(on) могут рассматриваться.
• Toshiba:
  • TK65Z60W - N-канальный MOSFET из серии DTMOS VI. V_DSS=650В, R_DS(on)=0.60 Ом.

Важное примечание по совместимости:

Хотя перечисленные модели имеют схожие основные параметры, они могут отличаться по динамическим характеристикам (емкостям, зарядами затвора, временам переключения), внутренней структуре и стойкости к лавинному пробою. Перед заменой в существующей схеме необходимо провести тщательный сравнительный анализ даташитов, особенно если схема работает на высоких частотах или в резонансных режимах.