Infineon IPA65R380E6XKSA1

Отличный выбор! Infineon IPA65R380E6XKSA1 — это высокопроизводительный кремниевый MOSFET транзистор в популярном корпусе TO-220, оптимизированный для современных импульсных источников питания.

Описание и основные особенности

IPA65R380E6 — это N-канальный MOSFET, принадлежащий к поколению CoolMOS™ E6 от Infineon. Это семейство разработано специально для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике. Ключевые особенности:

• Технология CoolMOS™ E6: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при минимальном значении заряда затвора (Qg). Это прямой путь к снижению коммутационных потерь и повышению общей эффективности (КПД) системы.
• Оптимизация для SMPS: Идеально подходит для применения в качестве ключевого транзистора в:
  • Импульсных блоках питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой техники.
  • Корректорах коэффициента мощности (PFC), особенно в критичных по проводимости (CCM) и граничных (BCM) режимах.
  • Резонансных преобразователях (LLC-полумосты).
• Высокая надежность: Обладает высокой устойчивостью к лавинным процессам (UIS), что повышает надежность в реальных условиях эксплуатации.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошим теплоотводом (при использовании радиатора).

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Семейство | Infineon CoolMOS™ E6 | — | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с открытым теплоотводом | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 В | Максимальное напряжение отключения | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.380 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 7.4 А | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.420 Ом (макс.) | При VGS = 4.5 В, ID = 5.3 А | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 11 А | При TC = 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 44 А | — | | Заряд затвора (Qg) | ~ 22 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета потерь на управление | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.2 В | — | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При TC = 25°C (с радиатором) | | Диод "сток-исток" | Встроенный быстрый восстановительный диод (Body Diode) | — | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | — |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзисторы часто имеют разные парт-номера в зависимости от упаковки (на бобине, в тубе) или незначительных модификаций. Основной номер — IPA65R380E6. Модель в запросе (XKSA1) обычно указывает на конкретную производственную партию/упаковку.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Полного пин-в-пин аналога с абсолютно идентичными параметрами может не существовать, но есть множество совместимых по характеристикам и применению моделей. При замене всегда нужно сверяться с даташитами, особенно по распиновке!

• ON Semiconductor / Fairchild: FCPF11N65, FCPF11N60, FCP11N65. (Серия SuperFET).
• STMicroelectronics: STP11NK65Z, STW11NK65Z, STP11NM60. (Серии MDmesh™).
• Vishay / Siliconix: SUD11N65-370 (серия E6... не путать с поколением CoolMOS).
• Power Integration (в составе топологий): Хотя PI часто использует собственные чипы, в ремонте для некоторых конструкций могут подойти транзисторы с близкими параметрами.

Важные совместимые модели от самого Infineon (внутрисемейная замена):

• IPA65R360E6 (0.360 Ом) — немного лучшее сопротивление.
• IPA65R400E6 (0.400 Ом) — немного большее сопротивление.
• SPP11N65C3 (из предыдущего поколения CoolMOS C3) — может быть прямым аналогом во многих схемах, но с другими динамическими характеристиками.

Ключевые области применения:

1. Импульсные блоки питания (SMPS): Основной силовой ключ в однотактных и мостовых схемах.
2. Коррекция коэффициента мощности (PFC): Ключевой элемент в boost-преобразователях PFC-каскадов.
3. Инверторы и приводы: В схемах управления двигателями малой и средней мощности.
4. Сварочные инверторы: В силовой части высокочастотных преобразователей.

Важно при замене:

1. Проверьте распиновку (pinout). У большинства TO-220 она стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
2. Обратите внимание на динамические параметры (Qg, Ciss, Crss), если схема работает на высоких частотах (выше 50-70 кГц).
3. Обязательно используйте термопасту и радиатор подходящего размера для обеспечения надежной работы.

Данный транзистор является отличным, сбалансированным решением для ремонта и разработки эффективных источников питания средней мощности.