Infineon IPA65R380E6
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPA65R380E6
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPA65R380E6.
Общее описание
IPA65R380E6 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 от Infineon. Данная серия оптимизирована для достижения исключительного баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высоким зарядом затвора (Qg), что делает его идеальным решением для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.
Ключевая особенность технологии CoolMOS™ E6: Позволяет создавать более компактные и эффективные системы за счет снижения коммутационных потерь и потерь проводимости, особенно в жестких режимах переключения (например, в LLC-резонансных преобразователях, активных корректоров коэффициента мощности (PFC)).
Основные технические характеристики (ТХ)
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Технология CoolMOS™ E6 | | Корпус | TO-220 | Изолированный (FullPAK) | | Сток-исток напряжение (Vds) | 650 В | Максимальное постоянное | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.380 Ом | При Vgs = 10 В, Id = 5.3 А | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 10.5 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 42 А | Максимальный | | Заряд затвора (Qg) | ~ 40 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета потерь на переключение. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В | | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 156 Вт | На монтажной плате при Tc = 25°C | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Благодаря технологии Superjunction, что снижает потери при работе с ZVS. |
Ключевые преимущества:
- Высокая эффективность: Оптимальное соотношение Rds(on) x Qg.
- Поддержка ZVS: Низкий заряд обратного восстановления (Qrr) идеален для резонансных топологий (LLC).
- Высокая надежность: Высокая стойкость к лавинным процессам и перегрузкам.
- Изолированный корпус: TO-220 FullPAK упрощает монтаж теплоотвода без изолирующих прокладок.
Типичные области применения
- Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности.
- LLC-резонансные преобразователи (полумост, полный мост) для телевизоров, ПК, серверов, зарядных устройств.
- Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в критическом режиме тока (CrCM).
- Инверторы для солнечной энергетики.
- Промышленные системы питания.
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отклонениями):
- IP
A65R380E6 — TO-220 FullPAK (изолированный). [Данная модель] - IP
P65R380E6 — TO-220 (неизолированный). - IP
B65R380E6 — TO-263 (D2PAK, SMD-аналог TO-220). - IP
W65R380E6 — TO-247. Имеет лучший теплоотвод и может выдерживать бóльшую мощность.
2. Совместимые / конкурирующие модели от других производителей (Кросс-референс): При поиске аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: Vds=650В, Rds(on) ~0.38 Ом, корпус TO-220/TO-220F.
- STMicroelectronics:
- STF10N65M6 (MDmesh™ M6) — 650В, 0.38 Ом, TO-220FP.
- STW10N65M6 — в корпусе TO-247.
- ON Semiconductor / Fairchild:
- FCP11N65 — 650В, 0.38 Ом, TO-220FP (SuperFET® II).
- Power Integration (в составе их систем в корпусе):
- Хотя PI выпускает готовые решения, дискретные MOSFET с такими параметрами можно найти в их линейках для замены.
- Vishay / Siliconix:
- SUP60N06-18 (серия E6) — 600В, но часто используется в тех же схемах. Нужно проверять по напряжению.
Важное примечание по замене: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet) конкретного аналога, особенно обращая внимание на:
- Динамические характеристики: Qg, Qrr, Ciss (влияют на работу драйвера и потери).
- Характеристики внутреннего диода (скорость восстановления).
- Распиновку корпуса (особенно для изолированных версий).
- Рекомендуемые параметры драйвера затвора.
Вывод
Infineon IPA65R380E6 — это высокотехнологичный и надежный MOSFET, задающий стандарт эффективности для современных импульсных источников питания. Его основная ниша — это высокочастотные резонансные и PFC-каскады, где критически важны низкие коммутационные потери. Наличие изолированного корпуса TO-220 FullPAK упрощает конструкцию системы охлаждения. При замене или выборе аналога рекомендуется в первую очередь рассматривать модели из той же технологической линейки CoolMOS™ E6 в других корпусах (IPP, IPB, IPW).