Infineon IPA65R225C7XKSA1

Отличный выбор! IPA65R225C7XKSA1 — это высококачественный силовой MOSFET транзистор от Infineon, известный своим высоким КПД и надежностью. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание

Infineon IPA65R225C7XKSA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, LLC-резонансные преобразователи, корректоры коэффициента мощности PFC), где критически важны низкие динамические потери и высокая эффективность.

Ключевая особенность линейки C7 — оптимальный баланс между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg), что позволяет строить компактные и высокоэффективные решения с высокой частотой переключения.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Серия | CoolMOS™ C7 | Флагманская серия для SMPS | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | С изолированным затвором | | Структура | Superjunction | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Полярность | Enhancement Mode | Нормально закрытый | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 650 В | Основное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.225 Ом (макс.) | При VGS=10 В, ID=8.8 А (ключевой параметр) | | Стоковый ток (ID) | 11 А (при 25°C) | Непрерывный ток стока | | Импульсный ток стока (IDM) | 44 А | Пиковый ток | | Заряд затвора (Qg) | ~52 нКл (тип.) | При VGS=10 В (низкое значение) | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Макс. напряжение "затвор-исток" (VGS)| ±30 В | | | Рассеиваемая мощность (PD)| 156 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Динамические характеристики| Очень хорошие | Низкие потери на переключение (Eon, Eoff) | | Встроенный диод | Есть | Быстрый обратный диод (Body Diode) | | Темп. перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Степень защиты | AEC-Q101 | Квалифицирован для автомобильной электроники |

Преимущества и типовое применение

Преимущества:

• Высокий КПД: Благодаря низкому RDS(on) и оптимизированным динамическим параметрам.
• Работа на высоких частотах: Низкий заряд затвора (Qg) позволяет снизить потери в драйвере и увеличить частоту переключения, уменьшая габариты пассивных компонентов.
• Надежность: Высокая стойкость к перегрузкам, квалификация AEC-Q101.
• Улучшенная устойчивость к dv/dt: Важно для надежной работы в мостовых схемах.

Типовое применение:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• LLC-резонансные преобразователи (особенно нижний ключ в полумосте/полном мосту).
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в критическом режиме (CrM).
• Инверторы, драйверы двигателей (в менее требовательных приложениях).
• Автомобильные бортовые зарядные устройства (OBC) и DC-DC преобразователи (благодаря AEC-Q101).

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах. Прямым аналогом в другом корпусе для IPA65R225C7XKSA1 (TO-220) является:

• IPA65R225C7XKSA1 — TO-220 (здесь A указывает на амплитуду тока).
• IPB65R225C7 — TO-263 (D²PAK). Буква B в обозначении часто соответствует корпусу D²PAK (SMD-аналог TO-220).
  • Пример: IPB65R225C7 (точный номер уточняйте в даташите).

Совместимые и аналогичные модели (от Infineon и других производителей)

При поиске замены важно смотреть на ключевые параметры: VDS=650В, RDS(on) ~0.22-0.25 Ом, корпус TO-220/D²PAK.

От Infineon (серия CoolMOS™):

• IPA65R225C7 (прямая замена в той же серии).
• IPA65R250C7 (RDS(on)=0.25 Ом) — очень близкий аналог, может использоваться взаимозаменяемо во многих схемах.
• IPA65R190C7 (RDS(on)=0.19 Ом) — более низкое сопротивление, но обычно дороже.
• Из предыдущих поколений (менее эффективные): IPA60R280C6 (CoolMOS C6), IPA60R380C6.

От других производителей (непрямые аналоги, требуется проверка по даташиту и pinout!):

• STMicroelectronics: STF11N65M2, STW20N65M2 (серии MDmesh™ M2).
• ON Semiconductor: FCP11N65, FCPF11N65 (серия SuperFET® II/F).
• Fairchild/ON Semi: FCP11N60, FQPF11N60C.
• Vishay/Siliconix: SUD11N65-220 (серия EconoPIM™).
• Power Integration (в составе интегральных решений, например, в серии HiperPFS).

Важное примечание по замене

Несмотря на схожесть параметров, перед заменой обязательно необходимо:

1. Свериться с даташитами обоих компонентов.
2. Проверить распиновку (pinout) корпуса — она может отличаться!
3. Уделить внимание динамическим характеристикам (заряды, емкости), особенно в высокочастотных схемах. Прямая замена на аналог другого производителя не всегда гарантирует одинаковую эффективность и стабильность работы.
4. Проверить рекомендации по разводке печатной платы (layout).

Вывод: IPA65R225C7XKSA1 — это современный, эффективный и надежный MOSFET, отлично подходящий для построения мощных и компактных импульсных источников питания. Его основными конкурентами являются аналогичные модели из серий CoolMOS C7, а также продукты серий MDmesh от ST и SuperFET от ON Semiconductor.