Infineon IPA60R600P7XKSA1

Артикул: 563911

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IPA60R600P7XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IPA60R600P7XKSA1.

Общее описание

Infineon IPA60R600P7XKSA1 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS).

Основное назначение: Применяется в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансных преобразователях, а также в прямых и обратноходовых топологиях. Его главные преимущества — чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и высокая скорость переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность серии P7: Оптимизированное соотношение "емкость сток-исток / сопротивление канала", что делает его идеальным для работ в жестком режиме переключения (hard switching) и резонансных схемах (ZVS - переключение при нулевом напряжении).

Технические характеристики (основные параметры)

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Этот транзистор имеет стандартизированную маркировку. Прямые аналоги с идентичными или максимально близкими параметрами и цоколевкой:

Прямые аналоги от Infineon (разные корпуса/маркировки):
- IPx60R600P7 (где "x" определяет корпус: A=TO-220, D=D²PAK, C=TO-247). Например:
  - IPA60R600P7 (TO-220, не изолированный) — тот же кристалл, другой корпус.
  - IPD60R600P7 (D²PAK)
  - IPC60R600P7 (TO-247)
- SPP11N60C3 (более старая версия от Infineon, но может использоваться как функциональный аналог с проверкой по даташиту).
Аналоги от других производителей (следует сверять даташиты!):
- STMicroelectronics: STP6N60, STP7N60M2 (серия MDmesh™ M2). Нужно сравнивать Rds(on) и динамические параметры.
- ON Semiconductor (Fairchild): FCP6N60, FCPF6N60 (серия SuperFET®).
- Vishay (Siliconix): SUP6N60-18 (серия PowerMOS).
- Toshiba: TK6A60W (серия DT MOS VI).

Важное примечание: Несмотря на схожие цифры в названии (600В, ~0.6 Ом), параметры переключения (Qg, Coss, времена задержек) у аналогов от других брендов могут отличаться, что может повлиять на КПД и тепловой режим в высокочастотных схемах. Всегда необходим анализ даташита.

Совместимые модели для ремонта и замены (подбор по ключевым параметрам)

При подборе замены фокусируются на трех основных параметрах: Vds, Id, Rds(on). IPA60R600P7XKSA1 можно заменить на транзисторы со следующими характеристиками:

Напряжение Vds: ≥ 600 В (можно больше: 650В, 700В, но не меньше). Например, 650В транзистор подойдет.
Ток Id: ≥ 4.3 А (лучше с запасом 10-20%).
Сопротивление Rds(on): приблизительно 0.60 Ом (допустимо в диапазоне 0.5 - 0.8 Ом при том же Vgs). Более низкое сопротивление — обычно лучше (меньше нагрев), но может повлиять на динамику.
Корпус: TO-220 (механическая совместимость).
Технология: Предпочтительны аналогичные технологии (CoolMOS, SuperFET, MDmesh) для схожих характеристик переключения.

Примеры моделей для проверки в качестве замены:

STP6N60M2 (ST) - 600В, 5.2А, Rds(on) ~0.65 Ом.
FCP6N60 (ON Semi) - 600В, 6А, Rds(on) ~0.75 Ом.
IPP60R600P7 (Infineon, в корпусе D²PAK) - если позволяет монтажное место.
SGP10N60 (Infineon) - 600В, 10А, Rds(on) ~0.6 Ом (более мощный вариант).