Infineon IKA15N65H5

Отличный выбор! IKA15N65H5 — это мощный и надежный транзистор от Infineon, популярный в силовой электронике. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

Infineon IKA15N65H5 — это N-канальный MOSFET на основе передовой технологии CoolMOS™ P5. Он принадлежит к семейству суперджекшн (Superjunction) транзисторов, что обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении.

Ключевая особенность и преимущество:

• Технология CoolMOS™ P5: Основное преимущество — оптимальный баланс между эффективностью переключения и устойчивостью к электромагнитным помехам (EMI). По сравнению с предыдущими поколениями, P5 предлагает улучшенные динамические характеристики, что позволяет создавать более компактные и энергоэффективные решения с меньшими потерями на переключение.
• Основное применение: Идеально подходит для импульсных источников питания (SMPS), работающих в жестких режимах переключения (например, PFC-каскады — корректоры коэффициента мощности, LLC-резонансные преобразователи, инверторы), а также для промышленных приводов и ИБП.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | | | Технология | CoolMOS™ P5 | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 650 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Непрерывный ток стока (ID при 25°C) | 15 А | При температуре корпуса 25°C | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0,38 Ом (макс.) | При VGS=10 В, ID=7.5 А. Ключевой параметр для потерь проводимости | | Заряд затвора (Qg) | 45 нКл (тип.) | Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3,5 - 4,5 В | Стандартный уровень для управления микроконтроллерами/драйверами |

Полные парт-номера (Part Numbers)

Официальное полное наименование от Infineon может включать информацию о упаковке:

• IKA15N65H5 (вероятно, в трубке или россыпью)
• IKA15N65H5XKSA1 (скорее всего, обозначение для упаковки на катушке для автоматического монтажа)

Важно: Всегда проверяйте маркировку на корпусе. На транзисторе обычно нанесено сокращение: K15N65H5 или аналогичное.

Совместимые модели / Аналоги (Прямые и функциональные замены)

При поиске замены важно учитывать не только основные параметры (650В / 15А), но и технологию, динамические характеристики и корпус.

1. Прямые аналоги от Infineon (тот же класс, аналогичные параметры):

• IKA15N65H5 (исходная модель)
• IPP15N65H5 (аналогичные характеристики, в корпусе TO-220 FullPAK — полностью пластиковый, без металлической площадки, для улучшенной изоляции).
• SPA15N65H5 (в корпусе TO-220FP — аналогично FullPAK).
• IPA15N65H5 (в корпусе TO-220). Может иметь минимальные отклонения в динамических параметрах, но электрически очень близок.
• Модели из того же семейства P5 с близкими параметрами: IKA10N65H5 (10А), IKA20N65H5 (20А).

2. Аналоги от других производителей (функциональные замены):

Здесь ключевое слово — Superjunction MOSFET на 650В, 15А, с низким RDS(on) и зарядом затвора. Нужно смотреть datasheet.

• STMicroelectronics:
  • STF15N65M5 (технология MDmesh™ M5, аналог по характеристикам).
  • STP15N65M5 (в TO-220).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP15N65 (SuperFET, технология, ориентированная на высокую эффективность).
• Power Integrations (часто в своих решениях):
  • Используют аналоги, но под своими брендами в составе модулей.
• Vishay / Siliconix:
  • Модели серий SUPERJUNCTION (например, SiHF15N65E).

Критически важные замечания при замене:

1. Сверяйте даташиты! Даже при совпадении ключевых параметров (VDS, ID, RDS(on)) могут существенно отличаться:
   • Динамические характеристики: Емкости (Ciss, Coss, Crss), время переключения, параметры внутреннего диода (Qrr — обратный восстановленный заряд). Это напрямую влияет на КПД, нагрев и помехи в схеме.
   • Зависимость RDS(on) от температуры.
   • Распиновка корпуса (pinout). У TO-220 обычно стандартная, но лучше проверить.
2. Поколение технологии. CoolMOS P5 оптимизирован под конкретные задачи. Замена на транзистор более старого поколения (например, C3, E5) может привести к повышенным потерям и перегреву, особенно в высокочастотных схемах.
3. Схема управления. Убедитесь, что драйвер затвора может обеспечить необходимый ток заряда/разряда (зависит от Qg новой детали).

Рекомендация: Для ремонта или прямого 1:1 замещения лучшим выбором являются аналоги от Infineon из той же серии H5 (CoolMOS P5). Если такой недоступен, ищите современный Superjunction MOSFET от другого бренда с акцентом на сравнение Qg, Coss и Qrr в условиях вашей рабочей частоты.