Infineon Ihw30n160r2fksa1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IHw30N160R2FKSA1.

Общее описание

IHw30N160R2FKSA1 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS).

Его основное назначение — работа в резонансных топологиях (например, LLC-резонансный полумост или полный мост), которые используются в:

• Блоках питания для серверов, телекоммуникационного и промышленного оборудования.
• Высококачественных блоках питания для ПК (игровых, серверных).
• Адаптерах большой мощности.
• Солнечных инверторах.

Ключевая философия серии P7: Оптимизировать баланс между тремя критически важными параметрами: низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), высокая скорость переключения и превосходная устойчивость к электромагнитным помехам (EMI). Это позволяет создавать более компактные, эффективные и надежные системы.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Технология | CoolMOS™ P7 (Superjunction) | | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | С изолированным затвором | | Корпус | TO-247 | Пластиковый, 3 вывода | | Полярность | Enhancement mode (нормально закрытый) | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 1600 В | Максимальное напряжение отключения | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 30 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 120 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 70 мОм (макс.) | Типовое: ~52 мОм. Условие: VGS = 10 В, ID = 15 А, Tj = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Типовое ~4.0 В | | Напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±30 В (макс.) | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~170 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, VDS = 1000 В | | Заряд включения (Qgs) | ~50 нКл (тип.) | | | Время задержки включения (td(on)) | ~20 нс (тип.) | | | Время нарастания (tr) | ~90 нс (тип.) | | | Время задержки выключения (td(off)) | ~140 нс (тип.) | | | Время спада (tf) | ~40 нс (тип.) | | | Внутренний диод (Body Diode) | Есть | Интегрированный обратный диод | | Прямое падение на диоде (VSD) | -1.6 В (тип.) | | | Время восстановления диода (trr) | ~400 нс (тип.) | | | Максимальная температура перехода (Tj) | 175 °C | | | Сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.3 К/Вт | |

Ключевые особенности CoolMOS™ P7:

1. Оптимизация EMI: Форма волны переключения специально спроектирована для снижения высокочастотных помех.
2. Высокая крестовая помехоустойчивость (dv/dt): Устойчив к ложным срабатываниям в жестких условиях переключения.
3. Низкие динамические потери: Благодаря оптимизированным Qg и Qoss (заряд выходной емкости).

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор является частью большого семейства CoolMOS™ P7. Совместимость зависит от требований схемы, но в целом, модели можно подбирать по напряжению, току и сопротивлению.

1. Прямые аналоги в том же корпусе (TO-247) и семействе (P7):

• IPW60R070P7XKSA1 - 600В, 40А, 70 мОм. (Для сетевого напряжения 85-265В, топологии PFC, двухтактные).
• IPW65R070P7XKSA1 - 650В, 38А, 70 мОм.
• IPP60R070P7XKSA1 - 600В, 40А, 70 мОм (в корпусе TO-220 FullPAK).
• IHW40N160R5 - 1600В, 40А, 450 мОм (предыдущее поколение, большее сопротивление).

2. Аналоги от других производителей (по напряжению 1500-1600В и применению):

• STMicroelectronics: STx30N150 (1500В), STW48N150 (1500В).
• ON Semiconductor: FCH47N60F (600В, но часто используется в паре в мостовых схемах для достижения высокого напряжения).
• Fuji Electric: 2SK1082 (1500В).
• Toshiba: TK47N60W5 (600В, аналог для нижнего плеча в полумосте).

Важное замечание по замене: Несмотря на схожие электрические параметры, динамические характеристики (Qg, trr, EMI-поведение) могут существенно отличаться. Замена на аналог от другого производителя или даже другого семейства Infineon (например, C7, C3) требует перепроверки работы схемы, особенно драйвера затвора и снабберных цепей, и может привести к росту потерь или проблемам с EMI. Всегда сверяйтесь с Datasheet и при возможности проводите тесты.

3. Совместимые/взаимозаменяемые модели внутри семейства P7 (для разных задач):

• Для меньшего тока: IHw20N160R2 (1600В, 20А, 100 мОм).
• Для большего тока в том же корпусе: IHw40N160R2 (1600В, 40А, 45 мОм) — более низкое RDS(on), но может быть дороже.
• В другом корпусе (SMD, для компактных плат): Инфинеон предлагает серию P7 в корпусах TO-263 (D2PAK) и TO-262.

Вывод

Infineon IHw30N160R2FKSA1 — это высокотехнологичный и надежный транзистор, являющийся отраслевым стандартом для построения эффективных и компактных источников питания мощностью 1-3 кВт, работающих от трехфазной сети или требующих высокого напряжения на ключе. Его выбор оправдан в проектах, где критичны КПД, надежность и низкий уровень помех.

Для окончательного выбора аналога или замены необходимо обратиться к официальному даташиту (Datasheet) на компонент.