Infineon IHW30N160R2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для транзистора Infineon IHW30N160R2.

Описание

IHW30N160R2 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Его основное назначение — работа в резонансных топологиях (например, LLC-преобразователи), а также в корректорах коэффициента мощности (PFC) и инверторах. Главные преимущества достигаются за счет выдающегося соотношения низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и малой динамической емкости (Coss), что приводит к минимальным коммутационным потерям и высокой эффективности на высоких частотах переключения (вплоть до нескольких сотен кГц).

Ключевые особенности:

• Технология CoolMOS™ C7: Последнее поколение, оптимизированное для кремниевого предела потерь.
• Высокое напряжение сток-исток (VDS): 1600 В позволяет использовать в сетях 400 В и трехфазных системах (с запасом).
• Низкое RDS(on): Всего 0.3 Ом при 30 А.
• Ультрабыстрый встроенный диод (Body Diode): Обеспечивает высокую надежность в жестких режимах коммутации.
• Корпус TO-247: Обеспечивает хороший отвод тепла.

Типичные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций, промышленного оборудования.
• Плазменные и ЖК-телевизоры, мощные аудиоусилители класса D.
• Системы солнечных инверторов.
• Сварочные инверторы.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 1600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток стока (непрерывный) | I_D | 30 А | При T_C = 25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 120 А | | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.30 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 15 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | | | Заряд затвора | Q_g | ~ 110 нКл | Типовое значение, ключевой параметр для драйвера | | Входная емкость | C_iss | ~ 4500 пФ | | | Выходная емкость (эффективная) | C_oss(er) | Очень низкая | Особенность C7, снижает потери при включении | | Энергия обратного восстановления | E_rr | Минимальная | Встроенный диод с быстрым восстановлением | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 300 Вт | При T_C = 25°C | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 0.42 К/Вт | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

• IPW60R160C7 / IPW60R160CP — Ближайший аналог с похожими характеристиками (600V, 0.16 Ohm, C7). Хотя напряжение ниже, часто используется в схожих топологиях на нижнем напряжении.
• IPP60R160C7 / IPP60R160CP — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK.
• Для линейки на 1600В в C7 технология является флагманской, и прямого функционального аналога с тем же Vds и Rds(on) у Infineon может не быть, так как это специализированная высоковольтная часть.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей (Требуется проверка datasheet и цоколевки!):

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g, C_oss и корпус.

• ON Semiconductor (ныне onsemi):

  • FCH76N60F (600V, но популярен в мощных PFC/LLC).
  • NCP160N65F (650V, SuperJunction).
  • Для 1600В стоит искать в категории "Super-Junction MOSFETs" с высоким напряжением.

• STMicroelectronics:

  • STW48N60DM2 (600V, MDmesh™ DM2).
  • Серия STx8N60 (600V) в различных корпусах.
  • Модели на 1500-1600В встречаются реже, часто это IGBT.

• IXYS (часть Littelfuse):

  • Специализируются на высоковольтных компонентах. Могут иметь аналогичные MOSFET на 1500-1700В (например, серии IXFH, IXFK). Требуется тщательный подбор.

• Toshiba:

  • TKxxA60W (600V, DTMOS IV).

Важные замечания по замене:

1. Не является "дроп-ин" заменой для обычных 600В MOSFET. Из-за высокого напряжения 1600В и особенностей C7, простая замена на первый попавшийся транзистор с похожими токами недопустима.
2. Критически важны динамические параметры: При замене в существующей схеме необходимо учитывать Q_g, C_iss, C_oss и E_rr. Их несовпадение может привести к перегреву драйвера, повышенным потерям или выбросам напряжения.
3. Обязательно сверяйте распиновку (pinout) корпуса TO-247 у разных производителей.
4. Всегда изучайте даташиты (datasheet) и сравнивайте ключевые параметры в условиях вашей конкретной схемы (напряжение, ток, частота).

Рекомендация: Для замены IHW30N160R2 в ремонте или новой разработке лучше всего использовать оригинальный компонент от Infineon. Если это невозможно, поиск следует начинать с высоковольтных Super-Junction MOSFET других брендов, ориентируясь на полное совпадение напряжения (1600В) и максимально близкие динамические характеристики.