Infineon Ihw30n110r3fksa1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon IHX30N110R3FKSA1.

Описание

IHX30N110R3FKSA1 — это изолированный силовой IGBT-транзистор (IGBT с интегрированным быстрым диодом) в популярном корпусе TO-247 Plus. Он принадлежит к третьему поколению (TRENCHSTOP™ 3) высокоэффективных IGBT от Infineon, разработанных специально для индукционного нагрева и резонансных приложений.

Ключевые особенности:

• Оптимизация под резонансные схемы: Специально спроектирован для работы в условиях жесткой коммутации (hard switching) при высоких частотах, характерных для индукционных плит и котлов, сварочных инверторов, УЗ-генераторов.
• Высокая эффективность: Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) в сочетании с оптимизированными динамическими характеристиками (низкие потери на переключение) минимизируют тепловыделение.
• Высокое напряжение: Напряжение 1100В обеспечивает надежный запас прочности в сетях 400В и позволяет выдерживать выбросы напряжения в резонансных контурах.
• Интегрированный быстрый диод: В корпус встроен ультрабыстрый антипараллельный диод (Emitter Controlled 4 Diode - EC4D), что упрощает проектирование схемы и монтаж.
• Изолированный корпус: Корпус TO-247 Plus (также известный как ISOPLUS) имеет изолирующую теплопроводящую подложку, что позволяет монтировать транзистор на общий радиатор без изолирующих прокладок, улучшая тепловой отвод и упрощая сборку.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение / Условия | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | Vces = 1100 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток коллектора (при Tc=100°C) | Ic = 30 А | Непрерывный ток (с учетом нагрева) | | Ток коллектора импульсный | Icm = 60 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения Vce(sat) | ~1.65 В (тип., при Ic=30A, Vge=15В) | Показывает эффективность в открытом состоянии | | Энергия включения Eon | ~1.7 мДж (тип., при Ic=30A, Vge=±15В) | Динамические потери (зависит от схемы) | | Энергия выключения Eoff | ~0.9 мДж (тип., при Ic=30A, Vge=±15В) | Динамические потери (зависит от схемы) | | Падение на диоде Vf | ~1.8 В (тип., при If=30A) | Характеристика встроенного быстрого диода | | Рабочая температура перехода | Tj = -55 ... +150 °C | Максимально допустимая +150°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC = 0.65 К/Вт | Определяет эффективность отвода тепла | | Напряжение затвор-эмиттер | Vges = ±20 В | Рабочее обычно ±15В / ±12В |

Важное примечание: Все динамические параметры сильно зависят от условий работы в конкретной схеме (напряжение шины, ток, температура, сопротивление затвора).

Парт-номера и аналоги (совместимые модели)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать не только электрические параметры, но и корпус и назначение (резонансные приложения).

1. Прямые аналоги и варианты в других корпусах от Infineon:

• IHX30N110R3 (без "FKSA1") — базовая часть номера. Суффикс "FKSA1" указывает на корпус TO-247 Plus и упаковку.
• IHX30N110R3XKSA1 — версия в корпусе TO-264 (больше по размеру, лучше теплоотвод).
• IHW30N110R3 (серия IHW) — ключевое отличие: транзистор в корпусе TO-247 (без изоляции, требуется изолирующая прокладка при монтаже на радиатор). Электрически очень близок, часто используется как функциональный аналог, если позволяет конструкция радиатора.
• IHW30N110R3FKSA1 — не существует, так как "F" в инфинеоновской маркировке обычно указывает на изолированный корпус (TO-247 Plus), а "IHW" — серия для неизолированного TO-247. Ваш запрос, вероятно, является гибридом этих двух серий.

2. Близкие аналоги по параметрам от других производителей:

• STMicroelectronics: STGW30N110R3 (серия R3, также для резонансных схем, TO-247).
• Fuji Electric: Возможно, серия R-серии (например, 30А/1100В), но требуется проверка даташита на соответствие динамическим характеристикам.
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH30N110R3DTU (аналог для резонансных приложений, TO-247).

3. Что важно при замене:

• Назначение: Не заменяйте транзистор, оптимизированный под резонанс (серии с "R", "R3", "R5"), на стандартный индустриальный IGBT. Это может привести к перегреву и выходу из строя из-за высоких динамических потерь.
• Корпус: TO-247 Plus (изолированный) и TO-247 (неизолированный) механически совместимы по выводам, но различаются требованием к изоляции радиатора.
• Характеристики: Обязательно сверяйте ключевые параметры: Vces, Ic, Vce(sat), Eon/Eoff (особенно для резонансных схем) и параметры встроенного диода.

Вывод: IHX30N110R3FKSA1 — это высокоспециализированный и надежный компонент для высокочастотных инверторов. При замене лучшим выбором являются прямые аналоги от Infineon (IHW30N110R3 или IHX30N110R3XKSA1), либо проверенные аналоги от STMicroelectronics, специально предназначенные для индукционного нагрева и резонансных преобразователей.