Infineon HYS64V8300GU-8-B

Конечно, вот подробное описание микросхемы памяти Infineon HYS64V8300GU-8-B, её технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Общее описание

Infineon HYS64V8300GU-8-B — это синхронная динамическая оперативная память с произвольным доступом (SDRAM), организованная как 128M x 8 бит (то есть 128 Мегаслов по 8 бит каждое). Это компонент для поверхностного монтажа (TSOP-II), предназначенный для использования в качестве оперативной памяти в широком спектре электронных устройств.

Ключевая особенность: Будучи SDRAM, она работает синхронно с тактовой частотой системной шины, что обеспечивает более высокую производительность по сравнению с асинхронной DRAM (например, EDO или FPM). Модель с суффиксом -8-B указывает на время цикла (tCK) 8 нс, что соответствует частоте 125 МГц.

Типичное применение:

• Компьютерная периферия (модули памяти, видеокарты, принтеры, сетевые устройства)
• Промышленное оборудование
• Телекоммуникационные системы
• Встраиваемые системы (Embedded systems)
• Потребительская электроника (игровые приставки, маршрутизаторы)

Технические характеристики (Datasheet Summary)

| Параметр | Значение / Описание | | :--- | :--- | | Тип памяти | SDRAM (Synchronous DRAM) | | Организация | 128M x 8 bit (8 банков по 4M x 8) | | Объем чипа | 1 Гигабит (1 Gb) или 128 Мегабайт (128 MB) | | Напряжение питания | 3.3 В (± 0.3 В) | | Тактовая частота | 125 МГц | | Время цикла (tCK) | 8 нс (CL=3) | | Задержка (CAS Latency) | 2 и 3 (программируемая) | | Пакетный режим (Burst Length) | 1, 2, 4, 8, полная страница (Full Page) | | Тайминги (при CL=3) | 8-8-8 (tCL-tRCD-tRP) | | Корпус (Package) | 66-контактный TSOP-II (Type II), стандартный размер 22 x 10 мм | | Температурный диапазон | Коммерческий (0°C to +70°C) | | Ревизия / Конфигурация | Внутренние банки: 8 (4M x 8) |

Парт-номера и аналоги (Part Numbers)

Этот чип является частью большого семейства. Основные варианты в той же линейке отличаются скоростью (-7.5, -8) и иногда ревизией.

Прямые аналоги от Infineon (CYPRESS):

• HYB25D128800CE-8 — один из самых распространенных парт-номеров для этой микросхемы. Фактически, HYS64V8300GU часто является вторым или инженерным обозначением.
• HYS64V8300GU-7.5-B — более быстрая версия (7.5 нс, ~133 МГц).
• HYS64V8300GU-8 (без -B) — может указывать на незначительные отличия в ревизии или упаковке.

Важно: После приобретения подразделения DRAM у Infineon компанией Cypress Semiconductor, а затем самой Cypress компанией Infineon, чипы могли маркироваться как Cypress, Infineon или иметь двойную маркировку. Это одна и та же продукция.

Совместимые и аналогичные модели от других производителей

Данный чип соответствует отраслевому стандарту 1Gb SDRAM (x8). Совместимые микросхемы от других вендоров имеют идентичную распиновку (pin-to-pin compatible) и схожие электрические характеристики.

Основные производители-аналоги:

1. Samsung:

   • K4H561638F-TCB3 (или аналогичные с суффиксами -TCC, -TCCC)
   • K4H561638J-UCB3

2. Hynix (SK Hynix):

   • HY57V128800HCT-8
   • HYSV128800A (или B/C)-8

3. Micron:

   • MT48LC8M16A2TG-75 (или -7E, -8) Обратите внимание: у Micron часто другая организация, но совместимые по объему и функции чипы существуют.
   • MT48LC8M16A2B4-7E

4. Elpida (часть Micron):

   • EBD10D8UA-8C-F

5. Nanya:

   • NT5SV128M8CT-7K (или -8K)

Критически важные моменты при замене:

1. Организация (x8): Чип должен быть именно 128M x 8bit. Чипы x16 или x32 несовместимы по выводам.
2. Напряжение (3.3V): Не путать с DDR SDRAM (2.5В) или другими типами памяти.
3. Корпус (TSOP-II-66): Физический размер и расположение ножек должны совпадать.
4. Скорость: Чип с маркировкой -8 или 7.5 (более быстрый) обычно может заменить более медленный, но не наоборот. Лучше использовать чип с такой же или большей скоростью.
5. Тайминги (CL): Убедитесь, что контроллер памяти системы поддерживает CAS Latency (CL) заменяемого чипа.

Вывод: Infineon HYS64V8300GU-8-B — это классическая, хорошо зарекомендовавшая себя микросхема SDRAM для встраиваемых систем. При поиске замены или аналога ориентируйтесь на ключевые параметры: 1Gb, 128Mx8, 3.3V, TSOP66, 125/133 МГц.