Infineon G2W5

Infineon G2W5
Артикул: 563531

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon G2W5

Конечно, вот подробная информация о силовом транзисторе Infineon G2W5.

Описание

Infineon G2W5 — это не отдельная модель транзистора, а серия (семейство) N-канальных мощных MOSFET-транзисторов, выполненных по передовой технологии SuperSO8 (LFPAK).

Ключевые особенности и преимущества серии:

  • Корпус SuperSO8: Очень компактный и плоский корпус, который обеспечивает отличное соотношение производительности и занимаемой площади на печатной плате. Имеет низкое тепловое сопротивление и предназначен для эффективного отвода тепла через контактные площадки (пада) на плате.
  • Оптимизация для КПД: Транзисторы этой серии специально разработаны для приложений, где критически важен высокий КПД, особенно в условиях низкого и среднего тока.
  • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Одно из главных преимуществ — чрезвычайно низкое значение RDS(on) для своего класса и размера корпуса, что приводит к минимальным потерям на проводимость и нагреву.
  • Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет создавать более эффективные и быстрые драйверы затвора, снижая коммутационные потери.
  • Высокая стойкость к лавинному пробою: Транзисторы обладают высокой энергией лавинной стойкости, что повышает надежность системы в условиях перенапряжений.
  • Логический уровень (Logic Level): У многих моделей в серии пороговое напряжение затвора оптимизировано для работы от стандартных напряжений логических схем (3.3 В / 5 В), что упрощает схемотехнику драйвера.

Основные области применения:

  • Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (ИИП, SMPS).
  • Цепи управления двигателями (например, в материнских платах, серверах).
  • Низковольтные DC-DC преобразователи (например, POL - Point-of-Load).
  • Стабилизаторы напряжения (VRM) для процессоров и памяти.

Технические характеристики (общие для серии)

Характеристики варьируются между конкретными моделями, но вот типичный диапазон для серии G2W5:

| Параметр | Значение / Диапазон | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | - | | Технология | OptiMOS™ | - | | Корпус | SuperSO8 (LFPAK) | - | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 25 В / 30 В / 40 В | Наиболее распространены 30 В | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | ~ 50 А - 100 А | Зависит от модели и условий охлаждения | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | от ~1.0 мОм до ~3.5 мОм | При VGS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | ~1.5 В - 2.5 В | - | | Заряд затвора (Qg) | ~20 нКл - 60 нКл | Низкое значение для быстрого переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | ~45 Вт - 70 Вт | Зависит от корпуса и теплоотвода | | Диапазон рабочей температуры | -55 °C ... +150 °C | - |


Парт-номера (Part Numbers) серии G2W5

Серия G2W5 включает в себя множество конкретных моделей, которые различаются в основном напряжением VDSS и сопротивлением RDS(on).

Наиболее популярные и распространенные парт-номера:

  • IPP025N03L G (VDSS=30 В, RDS(on)=2.5 мОм)
  • IPP030N03L G (VDSS=30 В, RDS(on)=3.0 мОм)
  • IPP040N03L G (VDSS=30 В, RDS(on)=4.0 мОм)
  • IPP050N03L G (VDSS=30 В, RDS(on)=5.0 мОм)
  • IPP075N03L G (VDSS=30 В, RDS(on)=7.5 мОм)
  • IPP10R0C3 G (VDSS=30 В, RDS(on)=10.0 мОм)
  • IPP023N04L G (VDSS=40 В, RDS(on)=2.3 мОм)
  • IPP030N04L G (VDSS=40 В, RDS(on)=3.0 мОм)

Структура命名ования:

  • IPP — серия OptiMOS для промышленности и инфраструктуры.
  • 025 / 030 / 040 — Указывает на номинальное значение RDS(on) (например, 025 = ~2.5 мОм).
  • N03L / N04L — "N" = N-канал, "03" = 30 В, "04" = 40 В, "L" = Logic Level.
  • G — Поколение (Generation).

Совместимые модели и аналоги

При поиске аналога или замены для транзистора серии G2W5 необходимо обращать внимание на следующие ключевые параметры: корпус, VDSS, ID, RDS(on) и Qg.

Прямые аналоги и конкурирующие серии от других производителей:

  1. ON Semiconductor (ныне onsemi):

    • Серия FDMS в корпусе Power56 (очень похож на SuperSO8).
    • Например: FDMF3170 (в составе DrMOS, но содержит мощные MOSFET), FDMS86202.
  2. Vishay / Siliconix:

    • Серия SiSxxxDN в корпусе PowerPAK® SO-8.
    • Например: SiS414DN, SiS416DN.
  3. STMicroelectronics:

    • Серия STL в корпусе STripFET F7 (PowerFLAT 5x6).
    • Например: STL320N3LLH6.
  4. Texas Instruments (TI):

    • Серия CSD73xxx в корпусе SON 5x6.
    • Например: CSD7350W.
  5. Nexperia:

    • Серия PSMNR в корпусе LFPAK (этот корпус и является аналогом SuperSO8).
    • Например: PSMNR70-30YLH.

Важно: Перед заменой всегда необходимо тщательно сверяться с даташитами (datasheet) обоих компонентов, чтобы убедиться в полной совместимости по электрическим параметрам, распиновке и рекомендуемому монтажу на печатную плату.

Товары из этой же категории