Infineon FD200R12KE3

Infineon FD200R12KE3
Артикул: 562952

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon FD200R12KE3

Отличный выбор! Infineon FD200R12KE3 — это один из самых популярных и надежных IGBT-модулей на рынке силовой электроники. Вот подробное описание и вся ключевая информация о нем.

Описание

Infineon FD200R12KE3 — это двухключевой (dual) IGBT-модуль (Half-Bridge топология) третьего поколения (IGBT3, Trench/Field Stop technology). Он предназначен для построения силовых инверторных каскадов в мощных промышленных приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), системах возобновляемой энергии (солнечные и ветряные инверторы), промышленных нагревателях и сварочном оборудовании.

Ключевые особенности:

  • Высокая мощность: Номинальный ток 200А при 100°C, напряжение коллектор-эмиттер 1200В.
  • Низкие потери: Благодаря технологии IGBT3, модуль имеет низкое падение напряжения в насыщении (Vce_sat) и высокую скорость переключения, что снижает коммутационные и проводимые потери.
  • Встроенный диод: Каждый IGBT оснащен антипараллельным диодом с мягким восстановлением (Emitter Controlled Diode - EconoDUAL™), что делает его готовым для инверторных схем.
  • Керамический изолятор (DCB): Обеспечивает высокую электрическую прочность изоляции (более 2500 В) и отличную теплопроводность.
  • Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с низкой индуктивностью силовых выводов, удобный для монтажа и замены. Имеет термодатчик (NTC термистор) для контроля температуры.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип модуля | Half-Bridge (2 в 1) | Два IGBT с антипараллельными диодами | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | | | Коллектор-Эмиттер напряжение | Vces = 1200 В | Максимальное блокирующее напряжение | | Номинальный ток (при Tj=100°C) | Ic,nom = 200 А | Для каждого IGBT | | Ток коллектора (пиковый) | Ic,max = 400 А | | | Напряжение насыщения IGBT | Vce(sat) ≈ 1.85 В (тип.) | При Ic=200А, Vge=15В | | Прямое напряжение диода | Vf ≈ 1.95 В (тип.) | При If=200А | | Мощность рассеяния | Ptot ≈ 1070 Вт | При Tc=80°C | | Температура перехода | Tj max = +150 °C | | | Температура хранения | Tstg = от -40 до +125 °C | | | Термистор | Встроен NTC | R25°C = 5 кОм, B25/100 = 3435 K | | Изоляционное напряжение | Visol = 2500 В (эфф.) | Переменный ток, 50 Гц, 1 мин | | Вес | ~ 170 г | | | Монтаж | Винтовое соединение (M5, M6) | |


Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот модуль имеет несколько стандартных парт-номеров, а также совместимые аналоги от других производителей.

Основные парт-номера Infineon:

  • FD200R12KE3 — основной и самый распространенный номер.
  • FD200R12KE3_B2 / FD200R12KE3_B3 — версии с различными уровнями контроля параметров (биннинг), могут незначительно отличаться Vce(sat). Взаимозаменяемы в большинстве применений.
  • SP001724752 — внутренний номер Infineon (Shipping Number).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитами, особенно по механическим размерам, расположению выводов и характеристикам внутреннего термистора.

  • SEMIKRON: SKM200GB12E4 (аналог на базе IGBT4, более современный, часто используется как upgrade).
  • Fuji Electric: 2MBI200U2B-120 (серия U2/U4).
  • Mitsubishi Electric: CM200DU-12NFH (очень популярный аналог).
  • Powerex (IXYS): M200BU12E300.
  • Dynex (полупроводники): DIM200BFS12-TA000.
  • Vincotech (в корпусе FlowDUAL 0): 10-F200R12KE3 (прямой функциональный аналог от дочерней компании Infineon).

Модели для модернизации (Drop-in Replacement или Upgrade):

Эти модули имеют тот же корпус и распиновку, но используют более современные технологии (IGBT4, IGBT7), что дает более низкие потери:

  • Infineon FD200R12KE3H (с суффиксом H — High Speed) — аналог на базе IGBT4 с оптимизированными диодами.
  • Infineon FD200R12W3H3 (серия W3 на базе IGBT7) — новейшее поколение с существенно сниженными потерями. Является лучшим вариантом для новой разработки или модернизации с целью повышения КПД.
  • SEMIKRON SKM200GB12T4 (IGBT4) или SKM200GB12E4D (с диодом повышенной мощности).

Области применения

  • Промышленные частотные преобразователи (AC Drives) мощностью ~75-110 кВт.
  • Инверторы для солнечных электростанций (центральные инверторы).
  • Системы ИБП средней и большой мощности.
  • Оборудование для индукционного нагрева.
  • Сварочные инверторы промышленного класса.
  • Приводы для электромобилей и тяговые преобразователи.

Важные замечания при замене:

  1. Термистор: Всегда проверяйте параметры встроенного NTC (сопротивление при 25°C и постоянную B). Несовпадение может привести к некорректной работе системы защиты.
  2. Характеристики диода: У более новых поколений (IGBT4, IGBT7) диоды имеют более мягкое восстановление, что снижает выбросы напряжения.
  3. Геометрия: Несмотря на стандартный корпус EconoDUAL 3, всегда сверяйте чертежи монтажных отверстий и расположение силовых/управляющих выводов.

Модуль FD200R12KE3 зарекомендовал себя как "рабочая лошадка" в силовой электронике, и его популярность поддерживается широкой доступностью как оригиналов, так и совместимых аналогов.

Товары из этой же категории