Infineon DZ600N18K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon DZ600N18K.

Описание и применение

Infineon DZ600N18K — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Его основное назначение — работа в качестве ключа (switcher) в мостовых схемах (например, LLC-резонансный полумост или полный мост) в сетевых источниках питания (SMPS) с коррекцией коэффициента мощности (PFC). Благодаря рекордно низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)) и сверхбыстрой работе внутреннего диода тела, он минимизирует коммутационные и проводимые потери.

Типичные области применения:

• Серверные и телекоммуникационные блоки питания (80 PLUS Titanium, Platinum)
• Промышленные источники питания высокой мощности
• Источники питания для игровых ПК и рабочих станций
• Зарядные станции для электромобилей (EV Charging)
• Источники сварочного оборудования

Ключевые особенности и преимущества

• Технология CoolMOS™ C7: Оптимальный баланс между низким RDS(on) и зарядом затвора, что обеспечивает высокий КПД.
• Супер-быстрый диод тела: Позволяет использовать в топологиях с жесткой коммутацией, снижая потери на обратное восстановление.
• Высокое напряжение сток-исток: 600 В, что обеспечивает надежный запас для работы в сетях 400 В после PFC-каскада.
• Низкое сопротивление RDS(on): 0.065 Ом при 25°C, что снижает проводимые потери и нагрев.
• Высокая стойкость к dv/dt: Надежная работа в жестких условиях переключения.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DS | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.065 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, T_j = 25°C | | | | 0.100 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, T_j = 150°C | | Ток стока (непрерывный) | I_D | 34 А | При T_C = 100°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 136 А | | | Заряд затвора | Q_g | 150 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | | | Энергия обратного восстановления | E_rr | 4.5 мкДж (тип.) | Малое значение для быстрого диода | | Время обратного восстановления | t_rr | 60 нс (тип.) | | | Тепловое сопротивление (корпус-радиатор) | R_thJC | 0.25 К/Вт | | | Корпус | | TO-247-3 | Стандартный корпус для силовых ключей |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Парт-номер обычно указывается с дополнительными суффиксами, обозначающими упаковку или партию. Базовый номер — DZ600N18K.

Полные парт-номера Infineon:

• DZ600N18KXT (часто встречается, "XT" может указывать на лоток/упаковку)
• SP001724947 — внутренний номер Infineon для поиска.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Полных 100% аналогов с такими же параметрами может не быть, но следующие модели являются функциональными аналогами (pin-to-pin совместимы, близкие характеристики) и используются в аналогичных применениях:

• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCH47N60F (600V, 0.065 Ohm, TO-247) — очень близкий аналог.
  • FCH76N60F (более мощный, 0.042 Ohm).
• STMicroelectronics:
  • STW48N60M2 (600V, 0.065 Ohm, TO-247) — прямой конкурент.
  • STW70N60M2 (более мощный).
• IXYS / Littelfuse:
  • IXFH48N60P (600V, 0.065 Ohm, TO-247).
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N08-18 (600V, 0.18 Ohm) — более старое решение, параметры слабее.

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Перед заменой необходимо сравнить ключевые параметры, особенно заряд затвора (Q_g), емкости (C_iss, C_oss, C_rss) и характеристики внутреннего диода. Несовпадение может потребовать доработки драйвера управления.
2. DZ600N18K принадлежит к семейству CoolMOS C7. При ремонте или новой разработке лучше искать аналоги именно в этом или более новом (C8, C9) семействе Infineon для сохранения оптимальных характеристик схемы.
3. Для поиска аналогов на сайтах-каталогах (например, Octopart, LCSC, FindChips) используйте фильтры: Vds = 600V, Rds(on) < 0.1 Ohm, Package = TO-247, Technology = Superjunction MOSFET.

Данный транзистор является отраслевым стандартом для построения высокоэффективных источников питания мощностью от 1 кВт и выше.