Infineon BSS316NH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSS316NH6327XTSA1 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET в компактном корпусе, разработанный для современных энергоэффективных приложений. Вот подробное описание и вся ключевая информация.

Описание

BSS316NH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6. Эта технология от Infineon обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) при минимальном заряде затвора, что является ключевым для повышения энергоэффективности и уменьшения тепловыделения.

Основное назначение — коммутация низкого напряжения в цепях управления питанием (Load Switching), стабилизация напряжения (DC-DC преобразователи), инверторы и схемы управления двигателями в портативной электронике, потребительских устройствах и источниках питания.

Корпус: TSNP-8-2 (также известный как SuperSO8 или μ8FL). Это очень компактный 8-выводной корпус с отличными тепловыми характеристиками благодаря открытой термоплощадке (Exposed Pad) на нижней стороне, которая отводит тепло на печатную плату.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | OptiMOS™ 6 | — | | Сток-исток напряжение (VDS) | 30 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Ток стока (ID) | до 50 А | При температуре корпуса Tc = 25°C (пиковый ток) | | Сопротивление RDS(on) | 1.6 мОм (тип.) | Ключевой параметр! VGS = 10 В, ID = 25 А | | | 1.9 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 25 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 В (тип.) | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | 23 нКл (тип.) | VGS = 10 В, ID = 25 А. Низкий заряд для быстрого переключения | | Максимальная мощность (Ptot) | 4.2 Вт | При температуре корпуса Tc = 25°C | | Диапазон напряжения затвора (VGS) | ±20 В | Максимальное напряжение между затвором и истоком | | Температура хранения/перехода | от -55 до +150 °C | — | | Корпус | TSNP-8-2 (SuperSO8, μ8FL) | Габариты: ~ 5 x 6 мм, с термоплощадкой |

Основные преимущества:

• Сверхнизкое RDS(on): Минимальные потери на проводимость и нагрев.
• Высокая эффективность переключения: Благодаря низкому заряду затвора (Qg).
• Высокая токовая способность в миниатюрном корпусе.
• Отличные тепловые характеристики корпуса с открытой термоплощадкой.

Прямые аналоги и парт-номера (Second Source)

Полных прямых аналогов с идентичными параметрами и корпусом от других производителей может не быть, но существуют очень близкие по характеристикам конкурирующие модели в том же корпусе SuperSO8. При замене всегда необходимо сверять даташиты, особенно по распиновке и электрическим параметрам.

Ближайшие конкуренты от других брендов (N-канал, ~30В, ~1.5-2.2 мОм, SuperSO8):

• Vishay (SiSSxx серия):
  • SiSS14DN-T1-GE3 (30 В, 50 А, ~1.7 мОм)
• ON Semiconductor:
  • NX3008NBK (30 В, 50 А, ~1.8 мОм) — один из самых популярных аналогов.
• Diodes Incorporated:
  • DMN3016SFG (30 В, 50 А, ~1.8 мОм)
• Nexperia:
  • PSMN3R0-30YLE (30 В, 100 А, ~3.0 мОм) — другой типоразмер, но популярное решение.
  • PSMN2R0-30YLE (30 В, 100 А, ~2.0 мОм)

Совместимые модели и семейство от Infineon

Внутри линейки Infineon OptiMOS™ 6 30V можно подобрать модель с очень похожими параметрами в том же или другом корпусе для гибкости дизайна:

• В том же корпусе TSNP-8-2 (SuperSO8):
  • BSS315NH6327XTSA1 — сосед в линейке, имеет чуть более высокое RDS(on) (~2.2 мОм).
• В более крупном корпусе PG-TSDSON-8 (3.3x3.3 мм) для лучшего теплоотвода:
  • IAUC50N30S6N012ATMA1 (30 В, 50 А, ~1.2 мОм)
• В популярном корпусе PG-TDSON-8 (5x6 мм, 8-выводной):
  • IPD50N03S6L-04 (30 В, 50 А, ~4.0 мОм) — более доступный вариант с чуть худшими параметрами.

Важное примечание по замене

При замене на аналог критически важно проверить:

1. Распиновку (Pinout) корпуса SuperSO8/TSNP-8-2 — она может отличаться у разных производителей!
2. Характеристики в ваших конкретных условиях работы (ток, температура).
3. Параметры переключения (Qg, Ciss) если работа идет на высоких частотах.

Вывод: Infineon BSS316NH6327XTSA1 — это современный, высокопроизводительный MOSFET, идеальный для задач, где требуется минимальное падение напряжения, высокая эффективность и компактность. Для замены в первую очередь стоит рассматривать NX3008NBK от ON Semiconductor и SiSS14DN от Vishay, но всегда с тщательной сверкой даташитов.