Infineon BSS215PH6327XTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon BSS215PH6327XTSA1.

Описание

Infineon BSS215PH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Он предназначен для применения в схемах коммутации низкого напряжения с высокой эффективностью.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Благодаря технологии OptiMOS™ транзистор обладает чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и низкими зарядами затвора (Qg), что минимизирует потери на проводимость и переключение.
• Низкое пороговое напряжение (VGS(th)): Позволяет управлять транзистором от низковольтных логических уровней (3.3 В, 5 В), что делает его идеальным для использования в современных цифровых схемах.
• Компактный корпус: Выполнен в ультрамалом корпусе PG-TSDSON-4 (SuperSO8), что экономит место на печатной плате.
• Назначение: Оптимизирован для синхронного выпряления в импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях, цепях управления питанием (Power Management) и различных приложениях коммутации нагрузки.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | OptiMOS™ | — | | Корпус | PG-TSDSON-4 (SuperSO8) | Размер: 3.3 x 3.3 мм | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 30 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (ID) | 16.5 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 3.8 мОм | Тип. при VGS = 10 В | | | 4.7 мОм | Тип. при VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 В | Тип. (min: 1.0 В, max: 1.7 В) | | Заряд затвора (Qg) | 15.5 нКл | Тип. при VGS = 10 В | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 2.1 Вт | При Tc = 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот компонент может иметь различные варианты маркировки в зависимости от канала поставки и упаковки. Основной парт-номер — BSS215PH6327XTSA1.

Часто в спецификациях и на сайх производителей/дистрибьюторов он может указываться в более короткой форме:

• BSS215P — базовая часть номера.
• BSS215PH — указывает на особенности корпуса/версии.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске аналога (прямой замены) необходимо учитывать не только электрические параметры (VDSS, ID, RDS(on)), но и корпус (TSDSON-4/SuperSO8) и распиновку.

Ближайшие аналоги от Infineon (в том же корпусе):

• IPD031N03L G — 30 В, 17 А, 3.1 мОм (очень близкий аналог, часто взаимозаменяем).
• BSC010NE2LSI — 25 В, 100 А, 1.0 мОм (более мощный, но на меньшее напряжение).
• BSC123N03LG — 30 В, 23 А, 12.3 мОм (на больший ток, но выше сопротивление).

Аналоги от других ведущих производителей:

• ON Semiconductor (Nexperia):
  • PSMN1R5-30YLE — 30 В, 64 А, 1.5 мОм (более мощный).
  • PSMN2R5-30YLE — 30 В, 50 А, 2.5 мОм (очень близкий по параметрам).
• Vishay / Siliconix:
  • SiSS14DN — 30 В, 12 А, 4.5 мОм (в корпусе PowerPAK® 1212-8, требует переразводки платы).
• Diodes Incorporated:
  • DMN3012LSD-13 — 30 В, 9.7 А, 7.5 мОм (в корпусе SO-8, классический аналог для переразводки).

Важное примечание по совместимости:

1. Корпус TSDSON-4 (SuperSO8) имеет очень маленькие размеры и специфическую распиновку (4 вывода, два из которых — сток). Прямая механическая замена возможна только на компоненты в идентичном корпусе (PG-TSDSON-4, SuperSO8, WDFN8 3x3 с аналогичной распиновкой).
2. Перед заменой обязательно сверяйтесь с datasheet и посадочным местом (footprint).
3. Для замены на транзистор в другом корпусе (например, стандартном SO-8) потребуется переразводка печатной платы.

Рекомендация: Для выбора оптимального аналога всегда используйте параметрический поиск на сайтах производителей или дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key), фильтруя по напряжению, току, RDS(on) и типу корпуса.