Infineon BSS169

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для полевого транзистора Infineon BSS169.

Описание

Infineon BSS169 — это N-канальный MOSFET транзистор с обогащенным (enhancement) каналом, выполненный по передовой технологии Planar Silicon. Это маломощный и высокоэффективный компонент, предназначенный для коммутации низких напряжений и токов.

Ключевые особенности и применение:

• Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)): Позволяет легко управлять транзистором от низковольтных логических схем, например, от микроконтроллеров (3.3В или 5В).
• Малая потребляемая мощность: Идеально подходит для энергоэффективных устройств.
• Высокое быстродействие: Благодаря низким емкостям, транзистор быстро переключается, что делает его пригодным для импульсных схем.
• Компактный корпус: Выпускается в популярном корпусе SOT-23, что позволяет экономить место на печатной плате.
• Основные области применения:
  • Ключи для управления нагрузками (реле, светодиоды, маленькие моторы).
  • Импульсные стабилизаторы и преобразователи (DCDC).
  • Логические интерфейсы и схемы цифровой коммутации.
  • Модуляция сигналов (широтно-импульсная модуляция - ШИМ).

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
• Корпус: SOT-23
• Стандартный партномер: BSS169NH6327XTSA1

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 100 В | Максимальное | | Постоянный ток стока | I_D | 170 мА | при T_C = 25°C | | Сопротивление "Сток-Исток" во включенном состоянии | R_DS(on) | 6 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 50 мА | | | | 12 Ом (макс.) | V_GS = 5 В, I_D = 50 мА | | | | 25 Ом (макс.) | V_GS = 4 В, I_D = 20 мА | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.0 - 2.5 В | I_D = 1 мА, V_DS = V_GS | | Напряжение "Затвор-Исток" | V_GSS | ±20 В | Максимальное | | Емкость затвора (входная) | C_iss | 30 пФ | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Емкость "Сток-Затвор" (проходная) | C_rss | 4 пФ | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц |

Парт-номера (Part Numbers)

Производитель (Infineon) присваивает компоненту полный партномер, который включает в себя код упаковки. Вот основные варианты:

• BSS169NH6327XTSA1 - Стандартный партномер для поставки на катушке (Tape and Reel).
  • NH — обозначение серии.
  • 6327 — код упаковки.
  • TSA1 — вариант упаковки (катушка, 3000 шт.).

В спецификациях и datasheet часто используется краткое обозначение BSS169.

Совместимые модели и прямые аналоги (Alternatives & Equivalents)

BSS169 является довольно распространенным транзистором, и многие производители выпускают полные или очень близкие аналоги. При замене всегда рекомендуется сверяться с даташитом на конкретную модель, особенно обращая внимание на распиновку (pinout) корпуса SOT-23, которая может отличаться.

Прямые аналоги с очень похожими параметрами (N-Channel, ~100В, ~100-200 мА):

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | BSS138 | Более современный и популярный аналог. Имеет лучшее R_DS(on) при низких V_GS (3.5 Ом @ 5В), но меньшее напряжение V_DSS = 50В. Является наиболее частой рекомендуемой заменой. | | ON Semiconductor | 2N7002 | Классический и широко распространенный аналог. V_DSS = 60В. | | Diodes Incorporated | DMN3404L | V_DSS = 60В, хорошие характеристики при низком напряжении затвора. | | Nexperia | BSS123 | V_DSS = 100В, но рассчитан на меньший ток (170 мА). Очень близкий аналог. | | Vishay | Si2302ADS | V_DSS = 20В, подходит только для низковольтных применений. | | STMicroelectronics | STS2HN100 | V_DSS = 100В, хорошая замена. |

Как выбрать аналог:

1. Напряжение V_DSS: У аналога должно быть как минимум такое же или большее значение.
2. Ток I_D: Аналогичный или больший.
3. Сопротивление R_DS(on): Особенно важно при управлении от 3.3В/5В. Чем ниже, тем лучше (меньше потерь и нагрев).
4. Пороговое напряжение V_GS(th): Должно быть достаточно низким для уверенного открытия вашей схемой управления.
5. Корпус и распиновка: Обязательно проверьте, совпадает ли цоколевка (pinout) SOT-23.

Вывод: Infineon BSS169 — надежный маломощный MOSFET для задач коммутации до 100В. Его самым популярным и часто используемым функциональным аналогом является BSS138, который при меньшем напряжении сток-исток предлагает лучшие параметры по сопротивлению во включенном состоянии.