Infineon BSS123

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для полевого транзистора Infineon BSS123.

Общее описание

Infineon BSS123 — это популярный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) малой мощности, выполненный в компактном корпусе SOT-23. Он относится к категории логических (Logic Level) MOSFET, что означает возможность его полноценного управления от стандартных цифровых сигналов микроконтроллеров (3.3В или 5В) с низким пороговым напряжением (Vgs(th)).

Этот транзистор широко используется в качестве электронного ключа для коммутации низковольтных нагрузок (до 170 мА), в схемах защиты, драйверах светодиодов, DC-DC преобразователях и цифровых интерфейсах.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, режим обогащения (enhancement) | — | | Корпус | SOT-23 (TO-236AB) | 3 вывода | | Полярность | N-Channel | — | | Структура | Планарный, с защитным стабилитроном** | Защищает затвор от статики (ESD) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.5 В (тип. 1.5 В) | Vds = Vgs, Id = 1 мА | | Макс. напряжение "сток-исток" (Vds) | 100 В | — | | Макс. напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | Благодаря встроенному стабилитрону | | Макс. постоянный ток стока (Id) | 170 мА | При Tc = 25°C | | Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds(on)) | 6 Ом (макс.) | Ключевой параметр! Vgs = 10В, Id = 50 мА | | | ~1.5 Ом (тип.) | Vgs = 10В | | | ~3.5 Ом (тип.) | Vgs = 5В (важно для 5В логики) | | | ~6 Ом (тип.) | Vgs = 3.5В (важно для 3.3В логики) | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 360 мВт | При температуре корпуса 25°C | | Емкость затвора (Ciss) | ~60 пФ | Vgs = 0 В, Vds = 25 В, f = 1 МГц | | Время включения (ton) / выключения (toff) | ~10 нс / ~15 нс | Позволяет работать на частотах в сотни кГц |

Примечание: Наличие встроенного стабилитрона между затвором и истоком является важной особенностью BSS123, упрощающей защиту от статического электричества в большинстве приложений.

Прямые аналоги и парт-номера (Pin-to-Pin совместимые)

Транзистор BSS123 является стандартным изделием, которое производят многие компании. Парт-номера (Part Number), полностью идентичные по характеристикам и распиновке:

• Infineon: BSS123 (оригинал)
• ON Semiconductor / Fairchild: BSS123
• Diodes Incorporated: BSS123
• Vishay / Siliconix: BSS123
• STMicroelectronics: BSS123

Совместимые и близкие по параметрам модели (аналоги)

При замене важно смотреть на ключевые параметры: Vds ≥ 100В, логический уровень, Rds(on) при Vgs=3.3/5В, ток и корпус.

Прямые функциональные аналоги (SOT-23):

• 2N7002 / 2N7002K: Самый популярный аналог. Имеет Vds = 60В и более высокий ток (до 300 мА), но чуть выше Rds(on) при низком Vgs. Почти всегда взаимозаменяем в низковольтных схемах.
• DMN3404L (Diodes Inc.): Vds=60В, Id=280 мА, отличные параметры при 3.3В/5В.
• NDS331N / NDS332N (Fairchild): Vds=30В/20В, очень низкое Rds(on) (< 1 Ом при 4.5В), для более мощных низковольтных ключей.
• SI2302: Vds=20В, Id=2.5А, очень низкое Rds(on), но малое напряжение. Подходит только для схем с питанием ≤12В.
• BS170: Классический аналог в корпусе TO-92, имеет схожие параметры (Vds=60В, Id=500 мА), но другой корпус.

Для более высоких токов (в корпусе SOT-23):

• IRLML2402 / IRLML2502: От International Rectifier. Логический уровень, низкое Rds(on) (0.045 Ом у 2502), Vds=20В, Id до 2.5А. Идеальная замена, если нужно коммутировать больше 500 мА при 5В.
• AO3400 / AO3400A: Популярный китайский аналог, Vds=30В, Id=5.7А, очень низкое Rds(on). Широко используется в модулях Ардуино.

Для более высоких напряжений (в корпусе SOT-23):

• BSS138: Vds=200В, но меньший ток (Id=130 мА) и большее Rds(on). Часто используется в интерфейсных схемах (например, I2C level shifter).
• MMBF5457 (JFET): Совсем другой тип транзистора, но иногда используется в схожих слаботочных приложениях.

Области применения

1. Коммутация слаботочных нагрузок: Реле, соленоиды, светодиоды (до 150 мА).
2. Цифровые ключи и буферы: Управление от выходов микроконтроллеров (GPIO).
3. Драйверы и предусилители: Для управления более мощными MOSFET или биполярными транзисторами.
4. Защитные схемы и стабилизаторы: В простых схемах ограничения тока или как активный элемент.
5. Импульсные стабилизаторы (DC-DC): В маломощных схемах на частотах до сотен кГц.

Важные замечания по применению

• Несмотря на встроенную защиту затвора, рекомендуется соблюдать меры предосторожности от ESD.
• При коммутации индуктивных нагрузок (реле, моторчики) необходимо использовать защитные диоды (например, flyback диод).
• При работе на предельных токах или частотах необходим расчет теплового режима. Мощность в 360 мВт рассеивается только при идеальном теплоотводе, на практике допустимая мощность меньше.

Вывод: Infineon BSS123 — это надежный, проверенный временем логический MOSFET для универсальных слаботочных применений. Благодаря полной совместимости с аналогами от других производителей и наличию более современных альтернатив (типа IRLML2502 или AO3400), он остается востребованным компонентом в радиолюбительской и промышленной практике.