Infineon BSP315PH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSP315PH6327XTSA1 — это высоконадежный и популярный P-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-223, предназначенный в первую очередь для коммутации нагрузок и управления питанием (Power Switching) в низковольтных приложениях.

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Краткое описание и основные преимущества

BSP315P — это логический P-канальный MOSFET с низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и низким пороговым напряжением затвора (VGS(th)). Это позволяет эффективно управлять им напряжением стандартной логики (3.3В или 5В) для переключения более высоких напряжений и токов.

Ключевые преимущества:

• Управление от логических уровней: Полностью открывается при напряжении затвор-исток VGS = -4.5В или -10В.
• Высокая эффективность: Очень низкое RDS(on) (всего 180 мОм при -10В) минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Компактность и удобство монтажа: Корпус SOT-223 — отличный баланс между мощностью рассеяния (до 1.8Вт) и занимаемой площадью на плате.
• Высокая стойкость к перегрузкам: Пульсирующий ток I_D (pulse) до 30А.
• Защита от статики (ESD): Соответствует стандарту HBM (Human Body Model).

Типичные применения:

• Коммутация питания (Load Switch) в портативных устройствах.
• Управление двигателями постоянного тока (малой мощности).
• Переключатели в схемах питания материнских плат, периферии.
• Статическое переключение и схемы защиты (обратной полярности, "идеальные диоды").
• Модули реле и силовые драйверы.

Подробные технические характеристики (BSP315PH6327XTSA1)

• Тип транзистора: P-канальный, MOSFET, логического уровня (Logic Level).
• Корпус: SOT-223 (обозначение в заказном номере: H6327).
• Полярность: P-Channel (затвор управляется отрицательным напряжением относительно истока).

Основные электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

1. Напряжение "сток-исток" (VDSS): -60 В (максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор).
2. Непрерывный ток стока (ID): -3.1 A (при Tc = 25°C). При Ta = 25°C (без радиатора) ток меньше, зависит от монтажа.
3. Сопротивление открытого канала (RDS(on)):
   • VGS = -10 В: макс. 0.18 Ом (типовое ~0.15 Ом).
   • VGS = -4.5 В: макс. 0.27 Ом.
4. Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): от -1.0 В до -2.5 В (типовое -1.5 В). Уже при VGS ≈ -3В транзистор начинает хорошо открываться.
5. Мощность рассеяния (PD):
   • При Tc = 25°C: 1.8 Вт (с хорошим теплоотводом через контакт металлической площадки).
   • При Ta = 25°C: около 0.5 Вт (когда плата и окружающий воздух нагреваются).
6. Заряд затвора (Qg): нетипично низкий, ~11 нКл (при VGS = -10 В). Это позволяет использовать для управления маломощные драйверы и микроконтроллеры.
7. Тепловое сопротивление (RthJC / RthJA):
   • Переход-корпус (RthJC): 70 К/Вт
   • Переход-окружающая среда (RthJA): 200 К/Вт

Важное примечание: Буква "H" в позиции упаковки (BSP315PH6327) означает, что продукт поставляется в безгалогенной версии (Halogen-free), что соответствует современным экологическим стандартам (RoHS, REACH).

Парт-номера (Part Numbers) и варианты упаковки

Полный заказной номер указывает на корпус и экологичность:

• BSP315PH6327XTSA1 — Основной парт-номер для заказа. XTSA1 — это код ленты и катушки для автоматического монтажа (Tape & Reel).
• BSP315P H6327 — Базовая часть номера, определяющая сам прибор и корпус SOT-223.

Если требуется другой тип упаковки (например, россыпью), суффикс XTSA1 будет изменяться.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены важно смотреть на ключевые параметры: VDSS ≥ -60В, ID ≥ -3А, RDS(on) при VGS = -4.5В/ -10В, корпус SOT-223 и, конечно, P-канал.

Прямые аналоги от Infineon:

• BSP316PH6327 — Ближайший "собрат" в том же корпусе. Имеет очень схожие характеристики, иногда может незначительно отличаться по RDS(on) или току.
• IPD50P03P4L-04 (от International Rectifier, теперь часть Infineon) — Старая, но проверенная модель с похожими параметрами.

Аналоги от других производителей:

| Производитель | Парт-номер | VDSS | ID (при Tc=25°C) | RDS(on) макс. (при VGS=-10В) | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :---: | :---: | :---: | :---: | :--- | | Vishay / Siliconix | Si2343DS | -60 В | -4.3 А | 0.1 Ом | SOT-223 | Более мощный аналог (ниже RDS(on), выше ток). | | Diodes Inc. | DMP3056L-7 | -60 В | -2.8 А | 0.19 Ом | SOT-223 | Очень близкий прямой аналог. | | ON Semiconductor | NTD4805N | -60 В | -5.8 А | 0.1 Ом | SOT-223 | Значительно более мощный (ниже RDS(on), выше ток). | | STMicroelectronics | STD15PF06 | -60 В | -15 А | 0.19 Ом | D²PAK | В другом корпусе (D²PAK), для бóльших токов. | | Nexperia | PMV65XP | -60 В | -4.8 А | 0.072 Ом | SOT-223 | Более современный и эффективный (ниже RDS(on)). |

Рекомендация по замене:

1. Для прямой замены (drop-in replacement) лучше всего подходят Si2343DS (Vishay) и DMP3056L-7 (Diodes Inc.). Всегда сверяйте цоколевку (pinout)!
2. Если нужен запас по току/потерям — обратите внимание на NTD4805N (ON Semi) или PMV65XP (Nexperia).
3. Перед заменой обязательно изучайте даташит, особенно разделы с Absolute Maximum Ratings, Safe Operating Area (SOA) и графиками зависимостей.

Этот транзистор является отраслевым стандартом для множества задач, и его популярность гарантирует широкий выбор как прямых, так и улучшенных аналогов.