Infineon BSP125

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и совместимые модели для силового P-канального MOSFET транзистора Infineon BSP125.

Описание

Infineon BSP125 — это P-канальный MOSFET транзитор в компактном корпусе SOT-223, предназначенный для управления нагрузкой в цепях с низким напряжением. Его ключевыми преимуществами являются очень низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)) и низкое пороговое напряжение (V GS(th)), что делает его идеальным для применений, где требуется высокий КПД и управление от маломощных источников, таких как микроконтроллеры (логический уровень 3.3В или 5В).

Этот транзистор часто используется в качестве электронного ключа для коммутации нагрузок по "верхней" стороне (high-side switch), например, для включения/выключения питания различных модулей, моторов, светодиодов и т.д.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | P-канальный, MOSFET | Enhancement Mode (нормально закрытый) | | Корпус | SOT-223 | | | Схема подключения | Затвор отделен от стока | Стандартная 4-выводная конфигурация | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DS) | -20 В | Максимальное постоянное напряжение | | Напряжение "Затвор-Исток" (V_GS) | ±12 В | Максимальное напряжение на затворе | | Постоянный ток стока (I_D) | -1.8 А при T_C = 85°C
-3.7 А при T_C = 25°C | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ≤ 0.15 Ом (тип. 0.12 Ом) | При V_GS = -4.5 В, I_D = -1.5 А
≤ 0.22 Ом (тип. 0.18 Ом) | При V_GS = -2.5 В, I_D = -1.0 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | от -0.8 В до -2.0 В | При I_D = -250 µA | | Общая рассеиваемая мощность (P_tot) | 2 Вт | На медной площадке ~6.5 см² | | Температура перехода (T_j) | от -55 °C до +150 °C | | | Ключевые особенности | • Логический уровень управления
• Очень низкое R_DS(on)
• Высокая эффективность
• Быстрое переключение
• Прямой пайка на плату | |

Part Number (Парт номера)

Основной парт-номер, под которым производится и продается этот компонент:

• BSP125

Это полное и единственное коммерческое обозначение от Infineon. В спецификациях и на корпусе он маркируется именно так.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

BSP125 является очень популярным компонентом, и у него много аналогов от других производителей, а также более современные версии от самого Infineon.

1. Прямые аналоги (Drop-in replacement)

Эти транзисторы имеют идентичные или очень похожие характеристики и распиновку (SOT-223), что позволяет заменить BSP125 без изменения схемы.

• Diodes Incorporated: DMP1155U-7
• ON Semiconductor / Fairchild: FDC653P (также в SOT-223)
• Nexperia: PMV65XP (более современный аналог)
• STMicroelectronics: STS7DPC20 (очень близкие параметры)

2. Функциональные аналоги (требует проверки распиновки и параметров)

Эти транзисторы имеют схожие или лучшие ключевые параметры (низкое R_DS(on), логический уровень), но могут быть в других корпусах (например, SO-8) или иметь незначительные отличия в характеристиках.

• Infineon:
  • IRF7416 (в корпусе SO-8, более высокое напряжение -30V)
  • IPD50P03P4L (в корпусе TO-252, более мощный)
• Vishay / Siliconix:
  • Si2345DS (SOT-23, для меньших токов)
  • SQJ410EP (PowerPAK, для больших токов)
• Texas Instruments:
  • CSD25404Q3 (SON, очень низкое R_DS(on))

3. Совместимые по применению модели от Infineon

Для новых проектов Infineon может рекомендовать более современные компоненты из своих актуальных линеек (например, OptiMOS™), которые предлагают лучшие характеристики.

• Infineon IRLML6301: N-канальный аналог для низковольтного применения (логический уровень), но требует использования в качестве низкостороннего ключа (low-side switch), что меняет схему включения.
• Линейка Infineon OptiMOS™ P-channel: Серия, к которой сейчас относится BSP125 и его более новые версии.

Важные примечания по применению

1. P-канал vs N-канал: P-канальные MOSFET, такие как BSP125, удобны для коммутации питания (high-side), так как для их открытия нужно подать на затвор напряжение, более отрицательное, чем на исток. Например, если исток подключен к +5V, то для открытия транзистора на затвор нужно подать 0V (GND). Это проще, чем строить схему драйвера для N-канального MOSFET в high-side конфигурации.
2. Нагрев: Несмотря на низкое R_DS(on), при токах близких к максимальным (1.5-2А) транзистор будет заметно нагреваться. Обязательно используйте рекомендованную медную площадку на печатной плате для отвода тепла.
3. Защита: Всегда ставьте резистор (~10-100 кОм) между затвором и истоком, чтобы гарантированно закрыть транзистор при старте системы. Для быстрого переключения и подавления выбросов может потребоваться небольшой резистор (10-100 Ом) последовательно с затвором.

Надеюсь, эта информация была полезна!