Infineon BSM150GB120DN2F

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового модуля Infineon BSM150GB120DN2F.

Описание

Infineon BSM150GB120DN2F — это двухуровневый IGBT-модуль (Dual IGBT Module), представляющий собой высокоинтегрированное решение для построения силовой части преобразователей частоты, инверторов и других мощных систем управления электроприводом.

• Архитектура: Модуль содержит два полностью независимых силовых ключа, каждый из которых представляет собой пару IGBT с антипараллельным диодом (транзистор + обратный диод). Это позволяет собрать, например, два плеча трехфазного инвертора из одного модуля.
• Назначение: Он предназначен для создания преобразователей средней и высокой мощности. Чаще всего используется в:
  • Частотных преобразователях (AC Drives)
  • Серво- и шаговых приводах
  • Промышленных инверторах
  • Источниках бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
  • Системах рекуперативного торможения
• Ключевые преимущества:
  • Высокая интеграция: Замена нескольких дискретных компонентов одним модулем, что упрощает монтаж и улучшает тепловые и паразитные характеристики системы.
  • Низкие потери: Использование технологии Trenchstop IGBT 4-го поколения обеспечивает низкие коммутационные потери и потери в проводящем состоянии (Vce_sat).
  • Высокая надежность: Корпус с низкоиндуктивной силовой керамической подложкой (DCB substrate), паяные соединения и возможность прямого монтажа на теплоотвод обеспечивают высокую стойкость к термическим циклам.
  • Встроенный NTC-термистор: Позволяет осуществлять мониторинг температуры модуля для организации системы защиты от перегрева.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Семейство | IGBT 4-го поколения (Trenchstop) | Низкие потери, высокая эффективность | | Конфигурация | 2 в 1 (Два транзистора с диодами) | Два независимых ключа | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | I_C = 150 А | Для каждого IGBT | | Ток импульсный (макс.) | I_CP = 300 А | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) = 2.1 В (тип.) | При I_C=150А, V_GE=15В | | Падение напряжения на диоде | V_FM = 1.65 В (тип.) | | | Макс. рабочая температура перехода | T_vj = 150 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) = 0.12 К/Вт | Для каждого IGBT/диода | | Встроенный термистор | NTC с R_25°C = 5 кОм | Для контроля температуры | | Индуктивность силовых выводов | L_s ≤ 15 нГн | Очень низкая, для снижения перенапряжений | | Класс изоляции | 2500 В (эфф.) | Между силовыми выводами и основанием | | Вес | ~ 110 г | | | Монтаж | Винтовые зажимы (M5) | Для силовых выводов | | Рекомендуемое усилие затяжки | 3.0 Н·м | |

Парт-номера и Совместимые / Аналогичные модели

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и конфигурацию выводов (pinout) и механические габариты.

Прямые парт-номера (Infineon)

Часто один и тот же физический модуль имеет разные парт-номера в зависимости от уровня контроля качества или упаковки. BSM150GB120DN2F является основным номером.

• BSM150GB120DN2K - Вероятно, версия для конкретного заказчика или с другим уровнем тестирования. Электрически и механически идентичен.

Прямые аналоги от других производителей (с проверкой даташита!)

Это модули с максимально близкими характеристиками и, часто, схожим корпусом.

• Fuji Electric: 2MBi150VH-120-50. Очень популярный и распространенный аналог. Конфигурация 2-in-1, 1200В, 150А. Механическое и электрическое соответствие очень высокое.
• Mitsubishi Electric: CM150TU-24T (или CM150TU-24TF). Классический модуль от Mitsubishi с аналогичными параметрами.
• SEMIKRON: SKM150GB1274. Еще один ведущий производитель, предлагающий прямые аналоги.
• DYnex (IXYS): DIM150BB12C2F.

Совместимые / Альтернативные модели (требуют проверки распиновки)

Эти модели имеют схожие или идентичные электрические параметры, но могут отличаться механическим исполнением или распиновкой. Замена возможна, но требует проверки по datasheet.

• Infineon BSM150GB60DLC (только 600В) — Внимание! Напряжение ниже.
• Infineon BSM200GB120DN2 (200А) — Более мощный модуль в том же форм-факторе.
• Fuji Electric 2MBi150XBE120-50 — Может иметь отличия в конструкции.
• SEMIKRON SKM150GB12T4 — Аналог в корпусе SEMITRANS.

Важное примечание: Перед заменой модуля на аналог от другого производителя ОБЯЗАТЕЛЬНО необходимо свериться с даташитами обоих компонентов, чтобы убедиться в:

1. Совпадении распиновки (pinout) силовых и управляющих выводов.
2. Идентичности механических размеров и расположения монтажных отверстий.
3. Схожести динамических характеристик (например, зависимости Vce(sat) от тока), чтобы не требовалась перенастройка драйвера.

Модуль BSM150GB120DN2F является отраслевым стандартом для своей мощностной категории и имеет хорошо документированные и проверенные аналоги.