Infineon BSC190N15NS3G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для MOSFET-транзистора Infineon BSC190N15NS3G.

Описание

Infineon BSC190N15NS3G — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это мощный и эффективный компонент, предназначенный в первую очередь для высокоэффективных импульсных источников питания, преобразователей DC-DC и схем управления двигателями.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение — всего 1.9 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери мощности на нагрев и повышает общий КПД системы.
• Высокая энергоэффективность: Технология OptiMOS™ 5 оптимизирована для работы в импульсных схемах, обеспечивая превосходные показатели эффективности как при высоких, так и при низких частотах переключения.
• Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет использовать менее мощные и более дешевые драйверы для управления транзистором, упрощая схему управления.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам: Компонент способен выдерживать кратковременные импульсные перенапряжения, что повышает надежность системы в тяжелых условиях работы.
• Корпус PG-TDSON-8: Этот компактный корпус с 8 выводами обладает низким тепловым сопротивлением и предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Медная площадка на корпусе обеспечивает эффективный отвод тепла на печатную плату.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Синхронное выпряление в AC-DC и DC-DC преобразователях
• Низковольтные приводы двигателей
• Стабилизаторы напряжения (VRM) для серверов и телекоммуникационного оборудования

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 150 В | | | Максимальный непрерывный ток (Id) | 190 А | при Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.9 мΩ | Vgs = 10 В, Id = 95 A | | | 2.3 мΩ | Vgs = 4.5 В, Id = 75 A | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th))| 2.7 - 3.9 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкA | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)| ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 120 нКл | Vds = 75 В, Id = 190 A | | Заряд затвора-истока (Qgs) | ~ 30 нКл | | | Время включения (td(on) + tr) | ~ 28 нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~ 49 нс | | | Диод "сток-исток" | Есть (интегрированный обратный диод) | | | Повторяющийся импульсный ток (I_{DM}) | 760 А | | | Корпус | PG-TDSON-8 (8-выводной, SMD) | |

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

Производитель Infineon присваивает компоненту единственный основной порядковый номер (Ordering Part Number):

• BSC190N15NS3GATMA1

Маркировка на корпусе: На корпусе транзистора нанесен код, который может выглядеть как B190N15N или аналогичный. Это сокращенное обозначение модели.

Совместимые модели (Аналоги и замены)

При поиске аналога или замены необходимо ориентироваться на ключевые параметры: 150 В, 190 А, низкое Rds(on) и корпус. Полных "капельных" замен может не быть, но следующие компоненты являются очень близкими аналогами от других производителей и от самого Infineon.

1. Прямые аналоги от Infineon (технология OptiMOS 5/6)

• Infineon BSC185N15NS5G (OptiMOS™ 5): 150 В, 185 А, Rds(on) = 2.1 мОм. Очень близкий аналог с незначительно меньшим током.
• Infineon BSC200N15NS5G (OptiMOS™ 5): 150 В, 200 А, Rds(on) = 1.8 мОм. Более мощный аналог.
• Infineon BSC120N15NS5G (OptiMOS™ 5): 150 В, 120 А, Rds(on) = 3.0 мОм. Менее мощный, но подойдет для менее требовательных задач.
• Infineon BSC0701NS (OptiMOS™ 6): 150 В, 195 А, Rds(on) = 0.7 мОм. Более новая и эффективная технология, но требует проверки цены и доступности.

2. Аналоги от других производителей

• ON Semiconductor NVTFS5C15N (или NVMFS5C15N): 150 В, 150 А, Rds(on) = 2.1 мОм. Отличный аналог от другого ведущего производителя.
• Vishay Siliconix SQA150AEBI (TrenchFET® Gen IV): 150 В, 150 А, Rds(on) = 2.4 мОм.
• STMicroelectronics STL150N15F7AG: 150 В, 150 А, Rds(on) = 2.3 мОм.

Важное замечание по замене: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами (datasheet) обоих компонентов. Особое внимание уделите:

• Распиновке (pinout) корпуса.
• Рекомендуемой схеме цепи затвора.
• Тепловым характеристикам.
• Наличию и параметрам внутреннего диода.

Для наиболее критичных применений рекомендуется проводить тестовые испытания замены в реальной схеме.