Infineon BF999E6327

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon BF999E6327.

Описание

Infineon BF999E6327 — это N-канальный полевой транзистор с двойным затвором (Dual Gate MOSFET), предназначенный для работы в высокочастотных схемах. Его ключевая особенность — два независимых затвора, которые позволяют эффективно управлять усилением сигнала и обеспечивают высокую стабильность по сравнению с обычными однозатворными MOSFET.

Этот транзистор выполнен в маломощном корпусе SOT-143, что делает его идеальным для компактных электронных устройств. Он широко используется в:

• ВЧ-усилителях (RF Amplifiers)
• Смесителях частот (Mixers)
• Гетеродинах (Oscillators)
• Устройствах с АРУ (Automatic Gain Control - AGC)
• ТВ-тюнерах и FM-радиоприемниках
• Высокочастотной коммутации

Второй затвор (Gate 2) часто используется для подачи управляющего напряжения, например, для систем автоматической регулировки усиления (АРУ), что позволяет динамически менять коэффициент усиления каскада без значительного ухудшения других параметров.

Технические характеристики

Основные электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, Dual-Gate MOSFET | — | | Корпус | — | SOT-143 | — | | Напряжение сток-исток | V_DSS | 20 В | | | Напряжение затвор-исток | V_GSS | ±8 В | Для каждого затвора | | Постоянный ток стока | I_D | 30 мА | | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 250 мВт | | | Крутизна прямой передачи | | | | | - Затвор 1 | Y_fs1 | 15 - 30 мСм | V_DS = 10 В, I_D = 5 мА, V_G2S = 0 В, f = 1 кГц | | - Затвор 2 | Y_fs2 | 8 - 20 мСм | V_DS = 10 В, I_D = 5 мА, V_G1S = 0 В, f = 1 кГц | | Входная емкость (Затвор 1) | C_iss1 | 2.5 пФ макс. | V<DS = 10 В, V_G1S = V_G2S = 0 В, f = 1 МГц | | Проходная емкость | C_rss | 0.035 пФ макс. | V<DS = 10 В, V_G1S = V_G2S = 0 В, f = 1 МГц | | Коэффициент обратной связи | R | 0.1 мА/В мин. | V_DS = 10 В, I_D = 5 мА, V_G2S = 0 В | | Коэффициент усиления по мощности | | 18 дБ тип. | f = 200 МГц | | Шумовая фигура | NF | 2.5 дБ тип. | f = 200 МГц | | Температура хранения | T_stg | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Аналоги и Прямые замены)

BF999E6327 является частью современной экологичной линейки (Green Product). Его прямым функциональным аналогом и парт-номером в других популярных линейках является:

• BF999 (базовый номер детали без суффикса упаковки)

Эти транзисторы, как правило, взаимозаменяемы в схемах, но всегда следует сверяться с даташитом для проверки незначительных возможных отклонений в параметрах.

Совместимые и Аналогичные Модели

Следующие транзисторы являются полными или очень близкими аналогами по характеристикам, корпусу и применению. Они могут использоваться для прямой замены BF999E6327 в большинстве схем.

От Infineon и предыдущих производителей (Siemens, Epcos):

• BF998 (Очень похож, но имеет чуть другие предельные напряжения)
• BF989
• BF991

От других производителей:

• 2SK508 (Toshiba) - классический аналог
• 2SK544 (Toshiba)
• 3SK164
• 3SK122

Важное примечание по аналогам:

• BF998 — это, пожалуй, самый популярный и доступный аналог. Он имеет схожие характеристики, но отличается максимальным напряжением сток-исток (V_DSS = 12В у BF998 против 20В у BF999). Во многих ВЧ-каскадах это различие некритично.
• Перед заменой всегда рекомендуется проверять цоколевку (распиновку) корпуса, так как у разных производителей она может незначительно отличаться, даже для одного и того же типа корпуса SOT-143.

Заключение: Infineon BF999E6327 — это надежный и проверенный временем высокочастотный транзистор для требовательных применений в радиоприемной и усилительной технике. Его основное преимущество — два затвора, предоставляющие разработчику гибкость в управлении каскадом.