Infineon 50b60pd1pbf

Infineon 50b60pd1pbf
Артикул: 561689

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon 50b60pd1pbf

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon 50B60PD1PBF.

Описание и применение

Infineon 50B60PD1PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P6. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

  • Основное назначение: Применяется в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и в высокочастотных инверторах/полумостовых/мостовых схемах (например, в LLC-резонансных преобразователях) блоков питания для ПК, серверов, игровых консолей, промышленного оборудования и систем ИБП.
  • Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ P6:
    • Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) при высокой скорости переключения.
    • Высокая эффективность за счет снижения коммутационных и проводимых потерь.
    • Отличный компромисс между скоростью переключения и устойчивостью к электромагнитным помехам (EMI).
    • Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (CoolMOS™ P6) | | | Корпус | TO-247 | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.060 Ом (60 мОм) | При токе стока 25А и напряжении затвор-исток 10В. Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Максимальный постоянный ток стока (Id @ 25°C) | 50 А | При температуре корпуса 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse) | 200 А | | | Мощность рассеяния (Pd) | 330 Вт | Теоретический максимум при идеальном охлаждении. | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В | Максимальное. Стандартное рабочее: +10В / -10В для включения/выключения. | | Заряд затвора (Qg) | ~130 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера затвора. | | Время включения (t_on) / выключения (t_off) | ~20 нс / ~65 нс (тип.) | Высокая скорость переключения. | | Температура перехода (Tj) | от -55°C до +150°C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Диод обратного восстановления (Body Diode) | Есть | Встроенный паразитный диод. Внимание: Не предназначен для частой работы в качестве синхронного выпрямителя. |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор имеет несколько вариантов обозначений и прямых/функциональных аналогов от других производителей.

Прямые аналоги Infineon (тот же кристалл, возможно, другой корпус/маркировка):

  • SPW50N60C3 (старая линейка CoolMOS C3 от Infineon) — близкий по параметрам, но технология P6 более совершенная.
  • В рамках серии CoolMOS P6 существуют модификации с другим сопротивлением Rds(on) (например, 80 мОм, 100 мОм), но с тем же напряжением 600В.

Функциональные аналоги и совместимые модели от других производителей:

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: Vds=600В, Id ~50А, Rds(on) ~0.06 Ом, корпус TO-247.

  • STMicroelectronics:
    • STW50N60DM2 (серия MDmesh™ DM2)
    • STP50N60DM2 (аналог в корпусе TO-220)
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP50N60 (серия SuperFET®)
    • FCH50N60 (серия SuperFET®)
  • Vishay / Siliconix:
    • SUP50N06-60 (серия E Series)
  • IXYS:
    • IXFH50N60P3
  • Toshiba:
    • TK50A60W (серия DT MOS VI)

Важные замечания по совместимости:

  1. Не является прямым "дроп-ин" аналогом для всех перечисленных моделей. Несмотря на схожие электрические параметры, различия в динамических характеристиках (заряды затвора Qg, Qgd, внутренние индуктивности), характеристиках встроенного диода и температурных зависимостях могут повлиять на работу схемы, особенно в высокочастотных преобразователях. Необходима проверка по даташиту и, желательно, тестирование.
  2. Серия P6 от Infineon оптимизирована под работу в жестком переключении (hard switching) и резонансных схемах (LLC). При замене на аналог нужно убедиться, что он рекомендован для таких же топологий.
  3. Перед заменой всегда:
    • Сравнивайте полные datasheet.
    • Обращайте внимание на разводку выводов (pinout) корпуса TO-247 (она стандартна: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).
    • Проверяйте рекомендации по разводке печатной платы и драйверу затвора.

Вывод: Infineon 50B60PD1PBF — это высококачественный, высокоэффективный MOSFET для профессиональных силовых преобразовательных устройств. При его замене на аналог необходим тщательный инженерный анализ.

Товары из этой же категории