Infineon 4274GV10

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового полупроводникового модуля Infineon 4274GV10.

Общее описание

Infineon 4274GV10 — это IGBT-модуль третьего поколения (IGBT3 / TrenchStop), выполненный в популярном промышленном корпусе 62mm (EconoDUAL™ 3). Это полумостовой (Half-Bridge) модуль, что означает, что в одном корпусе интегрированы два силовых ключа (верхний и нижний) с общим эмиттером для построения одного фазного плеча.

Он предназначен для использования в мощных инверторах, частотно-регулируемых приводах (ЧРП/ЧПУ), источниках бесперебойного питания (ИБП), промышленных выпрямителях и системах возобновляемой энергетики.

Ключевые особенности:

• Технология IGBT3/TrenchStop: Обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, высокую эффективность.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с отличным соотношением мощности и размера, удобный для монтажа.
• Высокий номинальный ток: 75А при 100°C, что указывает на хороший запас по току в реальных условиях.
• Встроенный диод обратного восстановления (Emitter Controlled Diode - ECD): Оптимизированный антипараллельный диод с мягкой характеристикой восстановления, что снижает перенапряжения и электромагнитные помехи.
• Керамическая изолирующая подложка (DCB): Обеспечивает гальваническую изоляцию "силовых" выводов от монтажной платы (радиатора) с высоким напряжением пробоя (≥2500 В).
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (1 фазное плечо) | | Корпус | 62мм, EconoDUAL™ 3 | | | Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток коллектора (I_C @ 100°C) | 75 А | При температуре перехода 100°C | | Ток коллектора (I_C @ 25°C) | 150 А | Пиковый/импульсный ток | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.05 В (тип.) | При номинальном токе, определяет потери проводимости | | Общие потери при переключении (E_ts) | ~4.5 мДж (тип.) | При номинальных условиях, определяет динамические потери | | Термическое сопротивление, переход-корпус (R_th(j-c)) | ~0.25 К/Вт (на IGBT) | | | Максимальная температура перехода (T_vj) | +150 °C (макс.) / +175 °C (макс. для хранения) | | | Встроенный диод | Да, Emitter Controlled Diode (FWD) | | | Термоконтроль | Встроенный NTC-термистор | Сопротивление обычно 10 кОм при 25°C | | Вес | ~180 г | | | Степень изоляции | ≥ 2500 В (перем.) | Между чипами и основанием (радиатором) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный полный парт-номер Infineon обычно включает в себя обозначение типа, номиналы и версию. Для данного модуля это:

• FF75R12RT4 - Это основной и полный парт-номер.
  • FF - серия/семейство (EconoDUAL 3, IGBT3).
  • 75 - номинальный ток при 100°C (75А).
  • R12 - напряжение 1200В (R12 = 1200V).
  • RT4 - версия/ревизия и тип диода.

Модуль может поставляться в разных вариантах, которые иногда указываются как суффиксы к основному номеру:

• FF75R12RT4_B11 - Может обозначать конкретную версию упаковки или лота.
• Старый (устаревший) номер из эпохи Eupec/Infineon: BSM75GB120DN2 - это прямой функциональный аналог.

Важно: При поиске или заказе используйте FF75R12RT4 как основной номер.

Совместимые и аналогичные модели

Совместимость определяется по конфигурации (полумост), корпусу (62mm), электрическим параметрам (1200В, ~75А) и расположению выводов.

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе 62mm):

• FF75R12RT4 (актуальная модель).
• FF75R12KE3 - Модуль третьего поколения (IGBT3), но с более быстрыми диодами (K). Может быть прямой заменой, если динамические характеристики системы это позволяют. Часто используется для повышения эффективности.
• FF75R12W2T4 / FF75R12W2T4_B11 - Модуль четвертого поколения (IGBT4). Имеет меньшие потери, но может отличаться динамическими характеристиками. Требует проверки при замене в существующей схеме, но часто является рекомендуемой модернизацией.
• BSM75GB120DN2 (устаревший, предшественник).

2. Аналоги от других производителей (требуют проверки datasheet!):

• Fuji Electric: 2MBI75L-120 (серия L1/L2). Полумост, 1200В, 75А, корпус 62мм.
• Mitsubishi Electric: CM75TU-12T (серия T). Полумост, 1200В, 75А, корпус 62мм.
• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (серия SEMITRANS 3). Полумост, 1200В, 75А, корпус 62мм.
• Hitachi: Не рекомендуется как прямая замена из-за возможных отличий в конструкции выводов и внутренней компоновке.

3. Модели с близкими параметрами (для новой разработки):

• На больший ток: FF100R12RT4 (100А), FF150R12RT4 (150А) - в том же корпусе.
• На меньшее напряжение: FF75R06RT4 (600В) - для сетей 380В.
• На большее напряжение: В корпусе 62mm обычно до 1200В. Для 1700В нужен другой корпус (например, 34mm или больше).

Важные замечания по замене и применению

1. Проверка Datasheet: Перед заменой на аналог обязательно сверьтесь с техническим описанием (datasheet), особенно разделы:

   • Распиновка (pinout) и геометрия корпуса.
   • Входная емкость (C_ies) и заряд затвора (Q_g) - критично для драйвера.
   • Характеристики диода (t_rr, I_RM).
   • Вольт-секундная площадь (V_CE x t_d(on)) для расчета dead-time.

2. Драйвер: Модуль требует соответствующего драйвера с током затвора ~2-4А, обеспечивающего необходимые напряжения включения (+15V) и выключения (рекомендуется -8...-15V для надежности).

3. Теплоотвод: Из-за высоких токов необходим качественный радиатор с низким тепловым сопротивлением и грамотная установка (момент затяжки, термопаста).

Вывод: Infineon 4274GV10 (FF75R12RT4) — это надежный, проверенный временем силовой модуль для средне- и высокомощных преобразователей. При замене лучшим выбором являются его прямые аналоги или более новые поколения (IGBT4) от Infineon, а при выборе аналогов от других брендов необходима тщательная проверка технической документации.