SMC DM12S04N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора SMC DM12S04N.

Описание

SMC DM12S04N — это N-канальный MOSFET транзистор в популярном корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для применения в силовых электронных схемах, где требуется высокий КПД и компактные размеры.

Ключевые особенности и применение:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 4.0 мОм при 10В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов, что критически важно для повышения эффективности.
• Высокий непрерывный ток стока (Id): 120А при температуре корпуса 25°C. Позволяет управлять значительными нагрузками.
• Низкое пороговое напряжение (Vgs(th)): От 2.0В до 4.0В. Обеспечивает хорошую совместимость с современными микроконтроллерами и низковольтными драйверами, упрощая управление.
• Быстрое переключение: Благодаря малой входной емкости (Ciss) и заряду затвора (Qg).
• Надежный и прочный: Имеет встроенный защитный диод (Body Diode) для отвода энергии от индуктивных нагрузок.
• Основные сферы применения:
  • Системы управления электродвигателями (например, в электромобилях, дронах, промышленных приводах).
  • DC-DC преобразователи и стабилизаторы напряжения (особенно синхронные).
  • Управление мощными нагрузками (соленоиды, лампы, нагреватели).
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Инверторы.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, с теплоотводящей площадкой | | Структура | Планар | | | Напряжение "сток-исток" (Vdss) | 40 В | Максимальное допустимое напряжение | | Непрерывный ток стока (Id) | 120 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 480 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 4.0 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 60 А | | | 5.0 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 60 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 130 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В | | Входная емкость (Ciss) | 5800 пФ (тип.) | | | Время включения (td(on) + tr) | 47 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 110 нс (тип.) | | | Диод (Body Diode): | | | | - Прямое напряжение (Vsd) | 1.2 В (макс.) | При Is = 120 А, Vgs = 0 В | | - Время восстановления (trr) | 120 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | ~150 Вт | Зависит от условий теплоотвода | | Диапазон рабочих температур (Tj) | -55 ... +175 °C | |

Парт-номера и Совместимые модели (Cross-Reference)

DM12S04N — это оригинальная маркировка производителя SMC Diode Solutions (ранее известного как SMC). У этого транзистора есть множество прямых аналогов и совместимых моделей от других производителей с идентичными или очень близкими характеристиками.

Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами):

• Infineon: IPT012N04N G (очень популярный и распространенный аналог).
• Vishay (Siliconix): SQD120N04-4L-GE3.
• ON Semiconductor: NTMFS4C10N (40В, 4.1 мОм, 120А).
• STMicroelectronics: STL120N4F7 (очень близкие параметры).
• Nexperia: PSMN4R0-40YS, но требуется проверка распиновки.

Совместимые модели (функциональные аналоги, которые могут быть использованы в большинстве схем):

• Любой N-канальный MOSFET в корпусе TO-252 (DPAK) со следующими ключевыми параметрами:
  • Vdss: 40В - 60В (запас по напряжению приветствуется).
  • Id: не менее 100-120А.
  • Rds(on): в районе 4.0 - 6.0 мОм при Vgs=10В.
• Примеры таких моделей:
  • IRF серии (International Rectifier, теперь Infineon), например, IRF 3710 (Vdss=100В, Id=57А) — НЕ ПОДХОДИТ по току, это пример для сравнения. Нужно искать аналоги по току и сопротивлению.
  • AON серии от Alpha & Omega Semiconductor.
  • BUK серии от Nexperia.

Важное примечание по замене: Перед заменой всегда необходимо:

1. Сверять распиновку (pinout) корпуса DPAK (обычно стандартная: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).
2. Проверять соответствие ключевых параметров для вашей конкретной схемы: Vdss, Id, Rds(on) и Vgs(th).
3. Учитывать динамические характеристики (Qg, Ciss), если схема работает на высоких частотах.

Таким образом, SMC DM12S04N является мощным и эффективным MOSFET, для которого легко найти замену среди продукции ведущих мировых производителей, самым популярным и проверенным аналогом которого часто является Infineon IPT012N04N G.