Freescale MRF8S9170N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для усилителя мощности Freescale/NXP MRF8S9170N.

Описание

Freescale/NXP MRF8S9170N — это транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), предназначенный для использования в качестве усилителя мощности (PA — Power Amplifier) в базовых станциях сотовой связи и других приложениях радиосвязи.

Это ключевой компонент в тракте передачи (Tx) базовых станций, отвечающий за усиление слабого сигнала промежуточной частоты до высокого уровня мощности, необходимого для передачи через антенну на большие расстояния.

Основные особенности и применение:

• Технология: LDMOS 8-го поколения от NXP, обеспечивающая высокую эффективность и линейность.
• Назначение: Выходной каскад усилителя мощности в базовых станциях стандартов 3G (W-CDMA/UMTS) и 4G (LTE).
• Частотный диапазон: Оптимизирован для работы в популярном диапазоне 917–960 МГц (в первую очередь для GSM900/EGSM, но широко используется и для 3G/4G в этом диапазоне).
• Ключевые преимущества: Высокая линейность (низкие искажения, что критично для современных цифровых модуляций), отличная эффективность, что снижает энергопотребление и тепловыделение, и высокая надежность.

Технические характеристики (кратко)

• Диапазон частот: 917 – 960 МГц (работоспособен в более широком диапазоне, ~860-1000 МГц).
• Выходная мощность (Pout):
  • 170 Вт (пиковая) в режиме W-CDMA.
  • 140 Вт (средняя) в режиме MC-GSM.
• КПД (Эффективность):

  • 45% (типовое значение) при работе с сигналом W-CDMA.

• Коэффициент усиления (Gain):
  • 17.5 дБ (типовое значение) при Pout=50W в режиме CW.
• Линейность (ACLR):
  • -50 дБc (типовое значение) для W-CDMA (при заданных условиях измерения).
• Напряжение питания (Vd):
  • 28 В (номинальное, типовое для стационарного оборудования).
• Ток покоя (Idq):
  • 1200 мА (типовое, настраиваемый параметр).
• Класс усиления: Работает в режиме AB, что обеспечивает компромисс между линейностью и эффективностью.
• Корпус: Air Cavity Ceramic, предназначен для монтажа на печатную плату с использованием автоматизированных линий. Имеет коваровые выводы для надежного электрического и теплового контакта. Требует внешнего теплоотвода.
• Сопротивление: Вход/выход 50 Ом, что упрощает проектирование согласующих цепей.

Парт-номера и эквиваленты

Поскольку компонент имеет долгую историю и производился под разными брендами, а также поставлялся на вторичный рынок, он может встречаться под различными обозначениями.

1. Основной парт-номер (Manufacturer Part Number - MPN):

• MRF8S9170N — основное и полное коммерческое обозначение.

2. Альтернативные/устаревшие обозначения (в рамках NXP/Freescale):

• MRF8S9170NH — возможное обозначение с указанием типа корпуса или версии.
• В спецификациях и даташитах также может фигурировать как 9170N.

3. Прямые аналоги и совместимые модели (Drop-in Replacements): Это транзисторы с аналогичными или очень близкими характеристиками, электрическими параметрами, цоколевкой и корпусом. Они могут использоваться для замены в большинстве схем, иногда с минимальной подстройкой смещения.

• MRF8S9170H — очень близкая модель, часто рассматривается как аналог. Могут быть незначительные различия в версии корпуса или параметрах.
• BLF8G22LS-130PV (Ampleon, бывшее подразделение NXP) — более современный аналог от того же производителя (после выделения Ampleon). Имеет улучшенные параметры.
• PTVA137K02EV (MACOM) — конкурентный аналог от другого ведущего производителя компонентов для ВЧ-техники.
• STAC3932B (STMicroelectronics) — аналог от другого крупного производителя.

4. Модели в аналогичном форм-факторе и классе мощности (для модернизации или перепроектирования): Эти модели могут иметь схожий корпус и диапазон мощности, но требуют проверки схемы согласования и смещения.

• MRF8S9120N (120 Вт) — менее мощная версия.
• MRF8S9140N (140 Вт) — версия с мощностью, промежуточной между 9120 и 9170.
• Серия MRF8S от NXP (например, MRF8S20100N для 2 ГГц) — транзисторы в идентичном корпусе, но для других частотных диапазонов.

Важные примечания

1. Производитель: Изначально разработан Freescale Semiconductor. После слияния в 2015 году производство и поддержка перешли к NXP Semiconductors. Позже подразделение RF Power было выделено в отдельную компанию Ampleon. Поэтому компонент может ассоциироваться с любым из этих брендов.
2. Вторичный рынок: MRF8S9170N широко распространен на вторичном (восстановленном) рынке из-за большого количества ремонтируемого оборудования базовых станций.
3. Использование: Для работы транзистора необходима правильно рассчитанная внешняя схема: цепи смещения (bias), согласующие ВЧ-цепи (input/output matching), система теплоотвода и стабильное питание. Рекомендуется строго следовать типовой схеме включения (Application Note) от производителя.
4. Документация: Актуальные даташиты и Application Notes следует искать на сайтах NXP или Ampleon.

Резюме: MRF8S9170N — это проверенный временем, надежный и высокопроизводительный LDMOS-транзистор для построения выходных каскадов усилителей базовых станций в диапазоне 900 МГц. При поиске замены или аналога в первую очередь следует рассматривать модели MRF8S9170H от NXP и BLF8G22LS-130PV от Ampleon.