Freescale MRF8S7120N

Артикул: 406677

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Freescale MRF8S7120N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для усилителя мощности Freescale MRF8S7120N.

Общее описание

Freescale MRF8S7120N — это транзистор на основе нитрида галлия (GaN) для усиления мощности в диапазоне СВЧ, предназначенный для использования в финальных каскадах передатчиков базовых станций. Он представляет собой Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) транзистор, хотя в более поздних линейках Freescale (ныне NXP) акцент сместился на GaN для высоких частот. Устройство оптимизировано для работы в частотном диапазоне 2110 – 2170 МГц, что соответствует полосе UMTS Band 1 (3G) и некоторым LTE-диапазонам.

Ключевые особенности:

Высокая линейность: Критически важна для современных цифровых модуляций (WCDMA, OFDMA в LTE), чтобы минимизировать интермодуляционные искажения и влияние на соседние каналы.
Высокий КПД: Позволяет снизить энергопотребление и тепловыделение базовой станции.
Внутренняя согласованность: Упрощает проектирование выходного каскада, так как транзистор предварительно согласован для работы в заданном частотном диапазоне.

Технические характеристики (Типовые условия, если не указано иное)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Поскольку компонент снят с производства или имеет разные варианты маркировки, вот основные парт-номера и прямые аналоги.

1. Прямые парт-номера от NXP (бывш. Freescale):

MRF8S7120N – Основной и полный номер.
MRF8S7120NR5 – Возможно, вариант с упаковкой на ленте (tape and reel).
MRF8S7120NR3 – Аналогично, может указывать на тип поставки.

2. Функционально совместимые модели (от NXP):

MRF8S9120N / MRF8S9120NR5 – Более новая версия с улучшенными характеристиками (например, MRF8S9120N часто рассматривается как апгрейд). Работает в том же частотном диапазоне.
MRF8S70120N / MRF7S7120P – Модели из схожих серий, но могут иметь отличия в корпусе (например, P в конце иногда обозначает пластиковый корпус, что менее надежно, чем керамический).
AFT27S712NT1 / AFT27S010NT1 – Модели от NXP, оптимизированные под работу от +32В, с очень высокой линейностью для современных стандартов.

3. Аналоги от других производителей (Внимание! Требуется проверка pin-to-pin и электрической совместимости):

Ampleon (выделилась из NXP):
- BLF8G27S-120 / BLF8G22LS-130 – Мощные LDMOS транзисторы для схожих диапазонов.
Qorvo (ранее TriQuint, RFMD):
- TGA2578-CP / TGA2594 – Транзисторы на технологии GaN, часто используются как более эффективная и широкополосная замена.
Wolfspeed (Cree):
- CGH31240F / CGHV59350 – GaN HEMT транзисторы. Обладают лучшими показателями по КПД и ширине полосы, но требуют более сложной схемы смещения и защиты.

Ключевые области применения:

Финальные каскады усилителей мощности в базовых станциях 3G (UMTS/WCDMA) Band 1.
Повторители (репитеры) и активные антенные системы (AAS).
Оборудование для общественной безопасности и радиосвязи в близком частотном диапазоне.

Важные примечания для инженеров:

Снят с производства: MRF8S7120N, скорее всего, находится в статусе EOL (End-of-Life). Для новых проектов настоятельно рекомендуется использовать более современные аналоги, такие как MRF8S9120N или GaN-транзисторы.
Схемы применения: Необходимо строго следовать типовым схемам включения (Application Notes) от производителя для обеспечения стабильности, линейности и долговечности.
Охлаждение: Из-за высокой рассеиваемой мощности (порядка 150-200 Вт) обязательно требуется массивный радиатор и качественный тепловой интерфейс.
Цепочка смещения: Требует точной и стабильной схемы подачи напряжения на затвор (Vgs) для установки тока покоя (Idq).

Рекомендация: При поиске замены или аналога всегда проверяйте даташиты и обращайтесь к официальным Selection Guides от производителей (NXP, Ampleon, Qorvo, Wolfspeed), чтобы подобрать оптимальную по характеристикам, цене и доступности модель.