Freescale MRF6V4300NB

Артикул: 406629

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Freescale MRF6V4300NB

Отличный выбор! Freescale MRF6V4300NB — это мощный полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN), разработанный для высокочастотных усилителей мощности в радарных и телекоммуникационных системах. После приобретения Freescale компанией NXP, эта линейка продуктов продолжает развиваться под брендом NXP.

Описание

MRF6V4300NB — это транзистор LDMOS (позже заменён и дополнен более совершенными GaN-приборами), но в контексте современных аналогов часто ищут именно GaN-транзисторы NXP (бывшие Freescale). Важно уточнить: точного GaN-транзистора с номером MRF6V4300NB не существует. Возможно, имеет место путаница с номерами.

Скорее всего, вы ищете один из двух вариантов:

Устаревший мощный LDMOS-транзистор из серии MRF6Vxxxx (например, MRF6V4300N, но это не GaN).
Современный GaN-транзистор для схожих применений (радар, связь) от NXP.

Дадим информацию по обоим направлениям.

1. Если речь об LDMOS-транзисторе MRF6V4300N (или аналог)

Эта серия была популярна для базовых станций 3G/4G и промышленного нагрева.

Технология: LDMOS на кремниевой подложке.
Основное назначение: Усилители мощности в диапазоне частот 2.1 – 2.7 ГГц.
Ключевые особенности: Высокая линейность, надежность, хорошее соотношение цена/производительность.

Примерные технические характеристики (на примере MRF6V4300N):

Диапазон частот: 2110 – 2170 МГц (оптимизирован для UMTS)
Выходная мощность (Pout): ~300 Вт (пиковая) при работе в классе AB.
Коэффициент усиления (Gain): ~17 дБ.
КПД (Efficiency): ~40-45%.
Рабочее напряжение (Vdd): 28 В / 32 В.
Корпус: Air Cavity Ceramic, с золотым покрытием выводов.

Парт-номера и совместимые модели (LDMOS серия):

Прямые аналоги/замены от Freescale/NXP: MRF6V4300N, MRF6V4300H, MRF6VP4300H.
Модели с близкими параметрами (из той же серии):
- MRF6V20100N (120 Вт, 1.8-2.0 ГГц)
- MRF6V2300N (300 Вт, 2.3-2.7 ГГц)
- MRF6VP2600H (250 Вт, 2.6 ГГц)
Аналоги от других производителей (требуется проверка pin-to-pin):
- Ampleon (выделилась из NXP): BLF6G22-10, BLF7G22-100
- Integra Technologies (бывший Mitsubishi Electric): RA07H4300M
- STMicroelectronics: не имели прямых аналогов этой мощности.

2. Если речь о современных GaN-транзисторах NXP (более вероятно для новых разработок)

NXP активно продвигает GaN-технологию как замену LDMOS для новых решений. Вот ключевые серии:

A. Серия AFTxxSxxxN (GaN on SiC) — для радаров и связи

Технология: GaN на карбиде кремния (SiC). Высокая мощность, частота и КПД.
Назначение: Радарные системы (морские, воздушные, метео), спутниковая связь, системы радиоэлектронной борьбы (РЭБ).
Примеры моделей и характеристики:
- AFT05S040N: 5 Вт, 0.1 – 3.5 ГГц, усиление 17 дБ.
- AFT18S240N: 18 Вт, 2.0 – 2.7 ГГц, усиление 13.5 дБ.
- AFT27S010N: 10 Вт, 2.3 – 2.9 ГГц.
- AFT09MP120N: 120 Вт, 0.03 – 0.1 ГГц (УКВ-радары).

B. Серия MMRF5014xH (GaN on Si) — для инфраструктуры связи

Технология: GaN на кремнии (Si). Оптимальное соотношение цена/производительность для базовых станций 4G/5G.
Назначение: Пилотные и макросотовые базовые станции.
Примеры моделей: MMRF5014H, MMRF5015H (мощность до 100 Вт в диапазоне 2.6-2.7 ГГц).

Совместимые модели и аналоги (GaN от NXP)

Для замены или новой разработки подбирается модель по частоте, мощности и корпусу. Прямых pin-to-pin аналогов между LDMOS и GaN часто нет.

Парт-номера (варианты корпусов/отборов): У каждой базовой модели (например, AFT18S240N) есть модификации: AFT18S240NR1, AFT18S240NR3 (разные уровни входного согласования).
Совместимые/альтернативные модели внутри NXP: Линейка AFTxxSxxxN очень широка, модель подбирается под конкретный частотный диапазон.
Аналоги от других производителей GaN:
- Wolfspeed (Cree): CGHVxxxxx系列 (например, CGHV40100 для S-диапазона).
- Qorvo: QPDxxxx系列 (широкая линейка для радаров и связи).
- MACOM: MAGx系列 (GaN on Si для инфраструктуры).
- Ampleon: BLFxxG系列 (преимущественно LDMOS, но развивают GaN).