IXYS VUO5216N01

Описание

IXYS VUO5216N01 – это высоковольтный MOSFET-транзистор N-типа, разработанный для коммутации больших токов при высоких напряжениях. Он применяется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных контроллерах и других системах, требующих надежного и эффективного переключения.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (до 1600 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1600 В | | Макс. ток стока (I_D) | 5.2 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 3.5 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) | | Макс. мощность (P_D) | 150 Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный вариант) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативы и аналоги)

1. IXYS VUO5216N01 (оригинал)
2. IXYS IXFN52N160
3. Infineon IPW60R160C6
4. STMicroelectronics STW52N60M2

Совместимые модели

Транзисторы с похожими характеристиками (N-канальные MOSFET, 1500–1700 В, 5–6 А):

• IXYS IXFN52N160Q2
• Infineon IPW60R160CP
• STMicroelectronics STW55N60M2
• Microsemi APT50GR120J

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Промышленные системы управления
• Высоковольтные ключевые схемы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.