IXYS VUO52-08NO1

Описание IXYS VUO52-08NO1

IXYS VUO52-08NO1 – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий два MOSFET транзистора в конфигурации полумоста (Half-Bridge). Модуль предназначен для управления высокими токами и напряжениями в импульсных источниках питания, инверторах, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Half-Bridge MOSFET (2x N-канал) |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 80 В |
| Макс. ток стока (ID) | 52 А (при 25°C) |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.008 Ом (тип.) |
| Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт |
| Тип корпуса | Изолированный (TO-263-7) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Да (Body Diode) |
| Управляющее напряжение затвора (VGS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Qg) | ~60 нКл |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXYS VUO82-08NO1 (аналог с увеличенным током 82 А)
• IXYS VUO40-08NO1 (аналог с меньшим током 40 А)
• Infineon IPP50N04S4-40 (аналог по характеристикам)
• IRF3205 (дискретный MOSFET, требует внешней обвязки)

Совместимые модули в схемах:

• IXYS VUM50-08NO1 (аналогичный модуль в другом корпусе)
• IXYS VUO32-12NO1 (версия на 120 В)
• IRF1404 (аналог для замены в некоторых схемах)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями (H-мосты)
• Инверторы и сварочное оборудование

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры конкретной схемы.