IXYS VUO52-08N01

Описание

IXYS VUO52-08N01 – это мощный MOSFET-модуль с N-канальным транзистором в корпусе TO-263 (D²PAK). Предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и сварочное оборудование

Модуль обладает низким сопротивлением канала (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его эффективным в силовой электронике.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 80 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 52 А |
| Сопротивление канала (R_DS(on)) при V_GS = 10 В | 0.008 Ом (8 мОм) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Заряд затвора (Q_g) | ~50 нКл |
| Время включения (t_d(on)) | ~20 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | ~50 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналогичные характеристики):

• IXYS VUO52-08NO7 (аналогичный, но с другим корпусом)
• IRF3205 (55 В, 110 А, 8 мОм, TO-220) – менее мощный, но популярный аналог
• IRFB4110 (100 В, 72 А, 5.5 мОм) – более высоковольтный вариант
• STP80NF55-06 (55 В, 80 А, 6 мОм, TO-220)

Совместимые модели (похожие параметры, но с различиями):

• IXYS IXFN52N80 (80 В, 52 А, TO-247)
• Infineon IPP80N04S4-03 (40 В, 80 А, 3 мОм)
• Fairchild FDP52N20 (200 В, 52 А, 0.08 Ом)

Применение

✔ Силовая электроника (импульсные БП, инверторы)
✔ Автомобильная промышленность (управление двигателями)
✔ Промышленные системы (драйверы, реле)

Модуль VUO52-08N01 сочетает высокую мощность и эффективность, что делает его востребованным в профессиональных и промышленных решениях.

Если нужны более точные аналоги, уточните требования по напряжению и току.