IXYS VUO190-18N07

Описание микросхемы IXYS VUO190-18N07

IXYS VUO190-18N07 – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным ультрабыстрым диодом, предназначенный для мощных импульсных и силовых электронных приложений. Модуль обладает высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам, что делает его идеальным для использования в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочном оборудовании
• Индукционных нагревателях
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1800 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 190 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 380 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 900 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 3.0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 400 нс (тип.) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный модуль (например, 6-выводной) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• IXYS VUO190-18NO7 (альтернативное написание)
• IXGN190N18A (от IXYS, с близкими параметрами)

Частично совместимые модели (требуется проверка характеристик):

• Infineon FF1800R17IE5 (1800 В, 180 А)
• Mitsubishi CM1800HA-28H (1800 В, 180 А)
• SEMIKRON SKM400GB17E4 (1700 В, 400 А, другой форм-фактор)

Аналоги с другими параметрами (возможна замена с доработкой):

• IXYS VUO110-18N07 (1800 В, 110 А) – для меньших токов
• IXYS VUO300-18N07 (1800 В, 300 А) – для больших нагрузок

Примечание

При замене модуля на аналог важно учитывать:

1. Рабочее напряжение и ток нагрузки.
2. Скорость переключения (влияет на КПД системы).
3. Тепловые характеристики (возможность отвода тепла).

Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.