IXYS VHF36-12io5

IXYS VHF36-12IO5 – это мощный VHF MOSFET транзистор, разработанный для высокочастотных и импульсных применений, таких как RF-усилители, инверторы, генераторы и другие схемы, требующие высокой эффективности и надежности.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 120 В
• Максимальный ток стока (I_D): 36 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.045 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3 - 5 В
• Входная емкость (C_iss): 3000 пФ
• Выходная емкость (C_oss): 600 пФ
• Обратная емкость (C_rss): 90 пФ
• Время включения (t_d(on)): 15 нс
• Время выключения (t_d(off)): 60 нс
• Корпус: TO-247 (изолированный или неизолированный, в зависимости от версии)

Парт-номера и аналоги:

Прямые замены и аналогичные модели IXYS:

• IXYS VHF36-12IO7 (с улучшенными характеристиками)
• IXYS VHF36-12IO1 (более ранняя версия)
• IXYS VHF36-12IO3
• IXYS IXFH36N12P

Совместимые модели от других производителей:

• IRFP260N (International Rectifier)
• STW75N12 (STMicroelectronics)
• FDP3652 (Fairchild/ON Semiconductor)
• APT30M120J (Microsemi)

Применение:

• ВЧ-усилители (RF-генераторы, радиопередатчики)
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Плазменные и индукционные нагреватели
• Силовые схемы управления

Особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкое сопротивление в открытом состоянии
• Быстрое переключение
• Подходит для жестких условий эксплуатации

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!