IXYS N1806QK180

Описание и технические характеристики IXYS N1806QK180

IXYS N1806QK180 – это N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-модуль), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET / IGBT (в зависимости от версии)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1800 В
• Максимальный ток стока (I_D): 6 А (зависит от условий охлаждения)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): ~2.5 Ом (типовое значение при 25°C)
• Мощность рассеивания (P_D): до 125 Вт (с эффективным теплоотводом)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны другие варианты)
• Тип затвора: Стандартный (не логический уровень)

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• IXYS N1806QK180 (оригинальный номер)
• IXYS N1806QK (упрощённая версия)
• IXYS IXGN180N60A (аналог с близкими параметрами)
• Infineon IRFP460 (частичная совместимость, 500 В, 20 А)
• STMicroelectronics STW20NM50 (500 В, 20 А, альтернатива для менее высоковольтных схем)
• Fairchild FCH47N60 (600 В, 47 А, альтернативный вариант)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом и учитывать рабочие параметры конкретной схемы.