IXYS N018RH08

IXYS N018RH08 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как импульсные источники питания, драйверы двигателей и инверторы.

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 80 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 180 А
• Ток стока (I_D) при 100°C: 120 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 1.8 мΩ при V_GS = 10 В
  • 2.2 мΩ при V_GS = 4.5 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2 - 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт (при T_C = 25°C)
• Корпус: TO-247 (TO-247AD)

Ключевые особенности

• Низкое сопротивление R_DS(on) для минимизации потерь.
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора (Q_g).
• Высокая перегрузочная способность по току.
• Защитный диод сток-исток (интегрированный обратный диод).

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IXYS N018RH08 (оригинал)
• IXFH180N08T
• IRFP4368PBF (International Rectifier)
• AUIRFS8409-7P (Infineon)
• STP180N8F7 (STMicroelectronics)

Совместимые модели (похожие параметры):

• IXYS IXFH120N08T (120А, 80В)
• IXYS IXFN180N08T (в корпусе TO-264)
• Infineon IPP180N08S4
• Vishay SUP50085E

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS).
• DC-DC преобразователи.
• Драйверы двигателей (в т.ч. для электромобилей).
• Инверторы и сварочное оборудование.

Примечание

Перед заменой аналогами рекомендуется проверять соответствие параметров (особенно V_GS(th), Q_g и тепловые характеристики). Для высокочастотных схем критично низкое R_DS(on) и заряд затвора.

Если нужны уточнения по конкретному аналогу или схеме применения — сообщите!