IXYS MDD950-12N1W

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS MDD950-12N1W
Описание и технические характеристики IXYS MDD950-12N1W
IXYS MDD950-12N1W – это высоковольтный MOSFET-модуль N-типа (Dual N-Channel), предназначенный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в корпусе ISOPLUS i4-PAC, обеспечивающем высокую изоляцию и эффективное охлаждение.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | 2 × N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (ID) | 9,5 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1,5 Ом (тип.) | | Мощность рассеяния (Ptot) | 125 Вт (при 25°C) | | Макс. температура перехода (Tj) | 150°C | | Время включения (td(on)) | 30 нс (тип.) | | Время выключения (td(off)) | 100 нс (тип.) | | Заряд затвора (Qg) | 45 нКл (тип.) | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Корпус | ISOPLUS i4-PAC | | Изоляционное напряжение | 2500 В (мин.) |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги (альтернативные модели)
- IXYS MDD950-12N1 (аналогичный модуль, но с другими характеристиками корпуса)
- IXYS MDD950-14N1B (близкий аналог с другими параметрами)
- Infineon FF450R12KT4 (схожий модуль, но с IGBT)
- STMicroelectronics STGW40H120DF2 (альтернативный IGBT)
Совместимые модули в схожих корпусах
- IXYS MIXA15PF1200
- IXYS MIXA30PF1200
Применение
Модуль IXYS MDD950-12N1W используется в:
- Высоковольтных преобразователях
- Индукционных нагревателях
- Промышленных инверторах
- Системах управления электродвигателями
- Источниках бесперебойного питания (ИБП)
Этот модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых приложениях с напряжением до 1200 В.
Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – спрашивайте!