IXYS IXTP60N20T

Описание и технические характеристики IXYS IXTP60N20T

IXTP60N20T — это мощный N-канальный MOSFET транзистор с улучшенными характеристиками, разработанный компанией IXYS (ныне часть Littelfuse). Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других высоковольтных системах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 60 А |
| Макс. импульсный ток (I_DM) | 240 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.045 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 3000 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +175°C |

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on))
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора
• Высокая устойчивость к лавинному пробою
• Подходит для высокочастотных преобразователей

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXTH60N20T (более ранняя версия)
• IXFH60N20T (аналог в корпусе TO-247)
• IRFP260N (International Rectifier, 200 В, 50 А, R_DS(on) = 0.055 Ом)
• FDP60N20 (Fairchild/ON Semi, 200 В, 60 А, R_DS(on) = 0.045 Ом)

Частично совместимые модели (с проверкой по даташиту):

• STP60NF20 (STMicroelectronics, 200 В, 60 А, R_DS(on) = 0.045 Ом)
• IRFPS40N20K (International Rectifier, 200 В, 40 А, R_DS(on) = 0.06 Ом)
• APTM60AM20C (Microsemi, 200 В, 60 А, R_DS(on) = 0.045 Ом)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• DC-DC преобразователи
• Усилители класса D
• Системы защиты от перенапряжений

Этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность в мощных электронных схемах. При замене на аналог рекомендуется проверять спецификации, особенно параметры R_DS(on), V_GS(th) и динамические характеристики.