IXYS IXGN100N170

Описание и технические характеристики IXYS IXGN100N170

Описание:
IXYS IXGN100N170 – это мощный N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1700 В и током коллектора 100 А (при 25°C). Модуль предназначен для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, промышленные приводы и системы управления энергией.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение V_CES | 1700 В |
| Ток коллектора I_C (25°C) | 100 А |
| Ток коллектора I_C (100°C) | 60 А |
| Пиковый ток I_CM | 200 А |
| Рассеиваемая мощность P_tot | 500 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер V_GE | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии V_CE(sat) | 2.5 В (при 100 А) |
| Время включения t_on | 75 нс |
| Время выключения t_off | 300 нс |
| Корпус | TO-264 (ISOPLUS i4) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS:

• IXGH100N170 (аналог с другим корпусом)
• IXGN90N170 (90 А, 1700 В)
• IXGN120N170 (120 А, 1700 В)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF100R17ME4
• Fuji Electric: 2MBI100XAA170-50
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Semikron: SKM100GB176D

Применение:

• Высоковольтные инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Промышленные приводы двигателей
• Сварочное оборудование
• Системы управления энергией (UPS, HVDC)

Если требуется более точный подбор аналогов, уточните условия работы (частота переключения, тепловой режим).